【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及硅光器件及其加工工艺。
技术介绍
1、硅光器件如波导利用硅和周边氧化硅等介质的材料特性差异形成对光的传输、调制等功能。由于光是电磁波，硅光器件对周边是否有硅图形结构非常敏感，如其距离太近，则会有信号耦合到周边的硅图形上，导致信号的衰减。然而为了光刻等图形化的需求，长波导等器件必须在其周边设置dummy图形，以保证波导等器件的图形形貌和表面粗糙度满足工艺要求。但是这些dummy也影响了光信号的传输。
2、因此，有必要开发新型的硅光器件以解决现有技术中存在的上述问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种硅光器件及其加工工艺，以避免dummy图形对光信号传输的影响并提升影响光信号传输效率。
2、为实现上述目的，本专利技术的硅光器件包括：
3、衬底；
4、波导，设置于所述衬底顶面；
5、介质层，覆盖所述衬底露出顶面和所述波导露出表面；
6、第一空腔结构和第二空腔结构，位于所述介质层...
【技术保护点】
1.一种硅光器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的硅光器件，其特征在于，各所述匹配空腔结构分别与所述波导之间距离不小于0.1微米。
3.根据权利要求1所述的硅光器件，其特征在于，还包括位于所述介质层内并靠近所述波导顶面设置的顶部空腔结构，所述介质层还填充所述顶部空腔结构与所述波导之间的区域，所述顶部空腔结构朝向所述衬底顶面投射所形成的投影边缘包围所述波导沿同一方向朝向所述衬底顶面投射所形成的投影。
4.根据权利要求3所述的硅光器件，其特征在于，所述第一空腔结构和/或所述第二空腔结构与所述顶部空腔结构相连通。
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【技术特征摘要】
1.一种硅光器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的硅光器件，其特征在于，各所述匹配空腔结构分别与所述波导之间距离不小于0.1微米。
3.根据权利要求1所述的硅光器件，其特征在于，还包括位于所述介质层内并靠近所述波导顶面设置的顶部空腔结构，所述介质层还填充所述顶部空腔结构与所述波导之间的区域，所述顶部空腔结构朝向所述衬底顶面投射所形成的投影边缘包围所述波导沿同一方向朝向所述衬底顶面投射所形成的投影。
4.根据权利要求3所述的硅光器件，其特征在于，所述第一空腔结构和/或所述第二空腔结构与所述顶部空腔结构相连通。
5.根据权利要求1或3任一项所述的硅光器件，其特征在于，所述空腔结构的顶部开口面积小于所述空腔结构的底部开口面积，所述顶部空腔结构的顶部开口面积小于所述顶部空腔结构的底部开口面积。...
【专利技术属性】
技术研发人员：钟晓兰，康晓旭，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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