【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制造工艺领域，尤其涉及一种水溶性聚酰胺树脂、耐高温芯片等离子切割保护液及制备方法与应用。
技术介绍
1、随着半导体领域高度集成的精细化发展，晶圆上的晶粒密度逐渐增高，切割道宽度也逐渐变小，这给晶圆切割工艺带来了更大的挑战。
2、以往较常见的刀轮切割和激光切割都是采用物理切割方式通过机械应力和热传递实现硅晶圆的分割。这两类切割方法的优势在于技术较为成熟，设备及原料成本较低；缺点在于机械切割精度不够，且容易造成裂痕、层剥离等缺陷，难以适配更加精细的集成电路元器件结构。
3、而等离子体刻蚀工艺中，毋需激光穿透至基板切割道产生沟槽，只需要在表面涂层中产生掩模且在切割道打开表面膜层以使等离子体能够向下接触基底即可，因此不会造成基底剥落或开裂，可以极大程度提高切割精度及良率。
4、等离子体对材料的刻蚀分为物理刻蚀和化学刻蚀。以往较常见的等离子体深硅刻蚀是用于在硅片垂直方向上制造更多空间，制备更加精细的微纳结构，因此刻蚀前需要通过光刻工艺实现纳米级别的掩模，实施难度大，工艺成本高。
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【技术保护点】
1.一种水溶性聚酰胺树脂，其特征在于，具有如下通式I所示的结构：
2.根据权利要求1所述的水溶性聚酰胺树脂，其特征在于，制备方法如下：
3.根据权利要求2所述的水溶性聚酰胺树脂，其特征在于，具体制备方法如下：
4.根据权利要求3所述的水溶性聚酰胺树脂，其特征在于：
5.一种含有权利要求1-4任一项所述水溶性聚酰胺树脂的耐高温芯片等离子切割保护液，其特征在于，按照重量份计算，包括如下组分：
6.根据权利要求5所述的耐高温芯片等离子切割保护液，其特征在于：
7.根据权利要求6所述的耐高温芯片等离子切割...
【技术特征摘要】
1.一种水溶性聚酰胺树脂，其特征在于，具有如下通式i所示的结构：
2.根据权利要求1所述的水溶性聚酰胺树脂，其特征在于，制备方法如下：
3.根据权利要求2所述的水溶性聚酰胺树脂，其特征在于，具体制备方法如下：
4.根据权利要求3所述的水溶性聚酰胺树脂，其特征在于：
5.一种含有权利要求1-4任一项所述水溶性聚酰胺树脂的耐高温芯片等离子切割保护液，其特征在于，按照重量份计算，包括如下组分：
6.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：侯军，于天佳，褚雨露，张楠，
申请(专利权)人：浙江奥首材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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