抗变形的烧结型半导体划片刀制造技术

本发明专利技术提供了一种抗变形的烧结型半导体划片刀，包括圆环或圆盘形的烧结划片刀，烧结划片刀的两端面固定有压板，压板与烧结划片刀之间设有环形的集水区，集水区内周侧分布有供水通道，供水通道沿压板轴向或内环侧外界连通；烧结划片刀两端面的边缘切削区沿自身周向分布有通水槽，通水槽朝向烧结划片刀径向延伸，通水槽一端延伸至集水区，另一端延伸至烧结划片刀的外环边缘；烧结划片刀的边缘刃口处为可随消耗自动保形的外凸或凹陷形状。本发明专利技术通过通水槽使冷却水形成切削区表面的束流，提升了冷却效果；减小了摩擦负载；刃口处的外凸或凹陷形状限制划片刀的偏摆；减小了烧结划片刀所需要的厚度，提高了切削时的抗变形能力和锋利度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体划片刀，具体涉及一种抗变形的烧结型半导体划片刀。

技术介绍

1、烧结半导体划片刀，由粉末冶金工艺将金属作为主结合剂与金刚石结合烧结而成，适用于加工不同类型材质的芯片及半导体相关材料，结合剂的作用是将金刚石固结，不同硬度和种类的结合剂对刀片的寿命影响比较大。烧结结合剂为中硬性结合剂，中硬性结合剂能较好地把持金刚石颗粒，增加刀片的耐磨性，提高刀片的寿命,中硬性结合剂的缺点是自锐性较差，切割产品的品质比软性结合剂的要差，爆边等问题较多。

2、划片刀通常精度较高，采用的金刚石粒度较细，其端面出露的金刚石高度较小，切割缝和划片刀的厚度接近，使得端面的冷却水通道极小，冷却水进入量受到限制；高速旋转的划片刀，在自身实体表面，又会形成气流屏障，使得冷却水部分被雾化，影响冷却水进入切削区(划片刀圆周面与工件的接触区域)实施充分的冷却。

3、摩擦热负载过大会导致划片刀的自锐性、磨损急剧上升，且烧结半导体划片刀的回转强度较电镀半导体划片刀的回转强度要差，抗变形能力也相对较差，因此厚度需求要比电镀半导体划片刀大，进而又带来了锋利度受到制本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种抗变形的烧结型半导体划片刀，其特征在于：包括圆环或圆盘形的烧结划片刀(1)，烧结划片刀(1)的两端面固定有压板(2)，压板(2)与烧结划片刀(1)之间设有环形的集水区(3)，集水区(3)内周侧分布有供水通道(4)，供水通道(4)沿压板(2)轴向或内环侧外界连通；所述烧结划片刀(1)两端面的边缘切削区沿自身周向分布有通水槽(5)，通水槽(5)朝向烧结划片刀(1)径向延伸，通水槽(5)一端延伸至所述集水区(3)，另一端延伸至烧结划片刀(1)的外环边缘；烧结划片刀(1)的边缘刃口处为可随消耗自动保形的外凸形状或(9)凹陷形状(8)；所述冷却水槽(4)为通过激光在所述切削区(5)加工而成...

【技术特征摘要】

1.一种抗变形的烧结型半导体划片刀，其特征在于：包括圆环或圆盘形的烧结划片刀(1)，烧结划片刀(1)的两端面固定有压板(2)，压板(2)与烧结划片刀(1)之间设有环形的集水区(3)，集水区(3)内周侧分布有供水通道(4)，供水通道(4)沿压板(2)轴向或内环侧外界连通；所述烧结划片刀(1)两端面的边缘切削区沿自身周向分布有通水槽(5)，通水槽(5)朝向烧结划片刀(1)径向延伸，通水槽(5)一端延伸至所述集水区(3)，另一端延伸至烧结划片刀(1)的外环边缘；烧结划片刀(1)的边缘刃口处为可随消耗自动保形的外凸形状或(9)凹陷形状(8)；所述冷却水槽(4)为通过激光在所述切削区(5)加工而成。

2.根据权利要求1所述的抗变形的烧结型半导体划片刀，其特征在于：所述烧结划片刀(1)的边缘刃口处为凹陷形状(8)，烧结划片刀(1)两端面的通水槽(5)在烧结划片刀(1)周向上相互避开，且烧结划片刀(1)两端面的通水槽(5)深度之和大于烧结划片刀(1)边缘切削区的厚度。

3.根据权利要求2所述的抗变形的烧结型半导体划片刀，其特征在于：所述烧结划片刀(1)的端面设有容纳压板(2)的环形内凹结构(6)，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋京新，梁安宁，龙慧玲，谢明星，王志勇，宋悠鹏，
申请(专利权)人：桂林磨院材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：