【技术实现步骤摘要】
本技术涉及集成电路芯片，尤其涉及一种静电放电保护电路和集成电路芯片。
技术介绍
1、随着集成电路的发展，集成电路的工艺尺寸越来越小，金属氧化物半导体电路的栅氧化层厚度越来越薄，电路的工作电压不断变低，使得集成电路芯片对静电放电(electronic static discharge，esd)的抵抗能力不断的下降，进而导致esd对集成电路的损伤变得越来越显著，同时工艺尺寸的不断缩小也使得esd电路设计窗口变得越来越小，这显著增加了esd电路及其相应芯片设计的复杂度。
2、现有的esd电路存在误触发的风险。
技术实现思路
1、本技术提供了一种静电放电保护电路和集成电路芯片，以解决目前的esd保护电路存在误触发的风险的问题。
2、第一方面，本技术提供了一种静电放电保护电路，包括：连接于第一电源线和第二电源线之间的正向触发模块、负向触发模块和静电释放模块；正向触发模块和负向触发模块分别与静电释放模块连接，正向触发模块用于在第一电源线的电压幅值大于第二电源线的电压幅值时响应正...
【技术保护点】
1.一种静电放电保护电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于，所述正向触发模块包括第一二极管串，所述负向触发模块包括第二二极管串，所述正向触发模块与所述负向触发模块复用第一分压模块和第二分压模块；
3.根据权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于，所述正向触发模块包括第一二极管串，所述负向触发模块包括第二二极管串，所述正向触发模块与所述负向触发模块复用第一分压模块和第二分压模块；
4.根据权利要求2或3所述的静电放电保护电路，其特征在于，所述第一二极管串包括至少一个第一二极管和至少一个第二二
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【技术特征摘要】
1.一种静电放电保护电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于，所述正向触发模块包括第一二极管串，所述负向触发模块包括第二二极管串，所述正向触发模块与所述负向触发模块复用第一分压模块和第二分压模块；
3.根据权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于，所述正向触发模块包括第一二极管串，所述负向触发模块包括第二二极管串，所述正向触发模块与所述负向触发模块复用第一分压模块和第二分压模块；
4.根据权利要求2或3所述的静电放电保护电路，其特征在于，所述第一二极管串包括至少一个第一二极管和至少一个第二二极管；
5.根据权利要求2或3所述的静电放电保护电路，其特征在于，所述第二二极管串包括至少一个第三二极管...
【专利技术属性】
技术研发人员：盛健健，陈敏，
申请(专利权)人：英诺赛科珠海科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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