一种绝缘支撑用氮化硅复相陶瓷材料及其制备方法技术

一种绝缘支撑用氮化硅复相陶瓷材料及其制备方法，属于氮化硅复相陶瓷材料技术领域，克服氮化硅陶瓷材料韧性低、体积电阻率温度稳定性不足的缺陷。本发明专利技术绝缘支撑用氮化硅复相陶瓷材料的制备方法包括以下步骤：步骤1、将原料混合得到混合粉料；所述氮化硅粉包括第一氮化硅粉和第二氮化硅粉；所述第一氮化硅粉粒径平均值D50为0.1～0.5μm；所述第二氮化硅粉粒径平均值D50为0.7～1.2μm；所述第一氮化硅粉和第二氮化硅粉的质量比为(1～2)：1；步骤2、压制成型陶瓷坯体；步骤3、在氮气气氛下，1550～1650℃保温2～4h；1780～1850℃保温2～4h；降温至1200～1400℃，保温2～4h。氮化硅复相陶瓷材料具有较高的韧性和电阻率温度稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于氮化硅复相陶瓷材料，具体涉及一种绝缘支撑用氮化硅复相陶瓷材料及其制备方法。

技术介绍

1、特高压直流输电是我国高电压、大容量、远距离电力输送与电网互联的重要手段，对我国的能源格局建设具有重大意义。气体绝缘金属封闭输电线路具有输送容量大、占地面积小、运行稳定性高、环境友好等优点，直埋于地下或隧道，可解决特殊地理环境下的输电难题，是架空输电线与电缆的有效替代方案。盆式、支柱绝缘子是气体绝缘设备最为关键的绝缘结构，与绝缘气体相比，其绝缘强度相对较低，是气体绝缘设备的绝缘薄弱点。在高气压、强电场、大温度梯度下，近年来频繁发生盆式、支柱绝缘子沿面闪络故障。

2、氮化硅陶瓷具有绝缘性能优异、硬度高、强度大，热膨胀系数低等优点，在气体绝缘设备应用极具潜力，但其韧性相对不足，在藏东南等高地震烈度地带在电场、温度场等共同作用下存在断裂风险，此外其在气体绝缘设备服役温度(60～100℃)下电阻率不稳定，会造成电场畸变，因此亟需针对特高压气体绝缘设备服役环境，开发具有高韧性、低温飘的氮化硅陶瓷材料。

技术实现思路...

【技术保护点】

1.一种绝缘支撑用氮化硅复相陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的绝缘支撑用氮化硅复相陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤1满足以下条件中的至少一项：

3.根据权利要求1所述的绝缘支撑用氮化硅复相陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述烧结助剂包括Y2O3、Al2O3和SiO2；

4.根据权利要求1-3任一项所述的绝缘支撑用氮化硅复相陶瓷材料的制备方法，其特征在于，满足以下条件中的至少一项：

5.根据权利要求1-3任一项所述的绝缘支撑用氮化硅复相陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤2中的压制成型包括干压...

【技术特征摘要】

1.一种绝缘支撑用氮化硅复相陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的绝缘支撑用氮化硅复相陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤1满足以下条件中的至少一项：

3.根据权利要求1所述的绝缘支撑用氮化硅复相陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述烧结助剂包括y2o3、al2o3和sio2；

4.根据权利要求1-3任一项所述的绝缘支撑用氮化硅复相陶瓷材料的制备方法，其特征在于，满足以下条件中的至少一项：

5.根据权利要求1-3任一项所述的绝缘支撑用氮化硅复相陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤2中的压制成型包括干压成型和冷等静压。

6....

【专利技术属性】
技术研发人员：韩钰，侯东，聂京凯，张一铭，祝志祥，刘辉，姬军，许宗超，何强，
申请(专利权)人：国网智能电网研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：