用于生成物理对象的基于体素的3D模型的表面偏移的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于从第一体素模型(VM)创建第二体素模型(VM2)以生成用于由该第一体素模型表示的对象的表面偏移的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种用于处理物理对象的基于体素的3d模型以用于生成该基于体素的3d模型的表面偏移的方法。

技术介绍

1、在3d打印领域中，已知通过3d模型来表示物理对象，其中对象的形状可借助于体素模型或体素域(voxel field)来表示。

2、体素模型包括多个体素，即三维空间单元。为了借助于体素模型来对对象的形状进行成像，要确定体素模型的各个体素到对象的表面的距离。在这种情况下，有利的是仅存储紧邻对象的表面的那些体素的距离值。由此可提高一些算法的压缩率和速度，因为可跳过与对象的表面相距足够距离的相当大量的空间部分。

3、然而，稀疏填充的体素模型对于某些类型的3d模型处理、特别是偏移化(＝创建基于体素的3d模型的表面偏移)是不利的。例如，在偏移化期间，还要处理离对象的表面稍微更远的体素的距离值。然而，对于受偏移影响的体素，存储器优化的、稀疏填充的体素模型中不存在距离值。

技术实现思路

1、因此，本专利技术的目的是提供一种用于有效重建存储优化的体素模型中的丢失信息的方法，其中该体素模型表本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于从第一体素模型(VM)创建第二体素模型(VM2)的计算机实现的方法，其中具有第一体素(VX1)的所述第一体素模型(VM)表示物理对象的3D模型，其中将距离属性分配给每个第一体素(VX1)，其中相应的第一体素(VX1)到所述对象的表面的距离能够存储在所述距离属性中，其中对于就量值而言的最小距离(d)低于第一预定阈值(dMAX)的每个第一体素(VX1)，将就量值而言的所述最小距离(d)存储在所述距离属性中，并且对于就量值而言的最小距离(d)高于所述第一预定阈值(dMAX)的每个第一体素(VX1)，将预定距离(d±∞)存储在所述距离属性中，其中

2.根据权利要求1所述的...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种用于从第一体素模型(vm)创建第二体素模型(vm2)的计算机实现的方法，其中具有第一体素(vx1)的所述第一体素模型(vm)表示物理对象的3d模型，其中将距离属性分配给每个第一体素(vx1)，其中相应的第一体素(vx1)到所述对象的表面的距离能够存储在所述距离属性中，其中对于就量值而言的最小距离(d)低于第一预定阈值(dmax)的每个第一体素(vx1)，将就量值而言的所述最小距离(d)存储在所述距离属性中，并且对于就量值而言的最小距离(d)高于所述第一预定阈值(dmax)的每个第一体素(vx1)，将预定距离(d±∞)存储在所述距离属性中，其中

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第二步骤(s2)中，对于在所述距离属性中具有存储的距离(d)的每个第一体素(vx1)，将存储的距离(d)另外复制到所述第二体素(vx2)的对应的距离属性中。

3.根据前一项权利要求所述的方法，其中在所述第三步骤(s3)中，跳过在所述距离属性中具有存储的距离(d)的第一体素。

4.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第一步骤(s1)中，将所述第二体素模型(vm2)初始化为所述第一体素模型(vm)的副本。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中在所述第二步骤(s2)中以及/或者在所述第三步骤(s3)中，根据优选地在每个方向上至多预定体素数量的与相应第二体素(vx2)相邻的那些第二体素(vx2)的所述存储的距离来确定对应的第二体素(vx2)的所述第一近似距离(da1)和/或所述第二近似距离(da2)。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述预定体素数量为二。

7.根据权利要求4或5中任一项所述的方法，其中：

8.根据前一项权利要求所述的方法，其中仅从已经经由所述第二体素在相应的方向上发生迭代的那些相邻的第二体素(vx2)来确定所述第一近似距离和/或所述第二近似距离(d1；da2)。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述第一体素模型和所述第二体素模型(vm；vm2)在每种情况下都是三...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·加洛，
申请(专利权)人：海珀福尔基控股私人有限公司，
类型：发明
国别省市：