System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 磁性复合材料、吸波组合物、吸波材料以及电子设备制造技术_技高网

磁性复合材料、吸波组合物、吸波材料以及电子设备制造技术

技术编号:41902093 阅读:37 留言:0更新日期:2024-07-05 14:08
本发明专利技术涉及一种磁性复合材料、吸波组合物、吸波材料以及电子设备。本发明专利技术的磁性复合材料包括由多个碳晶构成的碳晶群,至少部分碳晶的表面附着有二硫化钨,且碳晶群的至少部分间隙填充有二硫化钨;其中,碳晶呈三维立体棱形,且碳晶具有孔道结构,二硫化钨呈片状。本发明专利技术的磁性复合材料具有质轻、热稳定性好、吸收带宽宽以及吸波性能强的优势,能更好的用于制备吸波材料并应用于电子设备中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电磁吸波材料,特别是涉及磁性复合材料、吸波组合物、吸波材料以及电子设备


技术介绍

1、随着电子信息技术的飞速发展,大功率、高速率的电子设备向着高度集成化和小型化方向发展,然而,随着集成化程度提高,体积减小,不可避免的会导致电磁辐射干扰,不但损害人体健康,而且电子设备中的电子元器件对电磁场高度灵敏度,任何微小的电磁干扰都可能导致电子设备发生故障。

2、为了避免电子设备因电磁辐射发生故障,传统技术的做法是使用金属基材料在电子设备外形成屏蔽外壳,然而,金属基材料具有密度高、吸收带宽窄、热稳定性差等缺点;另外,当利用金属基材料制备屏蔽外壳时,为满足宽带吸收要求,通常还需要额外添加大量的电磁波吸收剂,导致屏蔽外壳的加工性能恶化,且工作寿命缩短。


技术实现思路

1、基于此,有必要针对上述技术问题,提供一种磁性复合材料、吸波组合物、吸波材料以及电子设备;该磁性复合材料具有质轻、热稳定性好、吸收带宽宽以及吸波性能强的优势,能更好的用于制备吸波材料并应用于电子设备中。

2、本专利技术提供了一种磁性复合材料,包括由多个碳晶构成的碳晶群,至少部分所述碳晶的表面附着有二硫化钨,且所述碳晶群的至少部分间隙填充有二硫化钨;其中,所述碳晶呈三维立体棱形,且所述碳晶具有孔道结构,所述二硫化钨呈片状。

3、在一实施方式中,所述碳晶的棱长为10nm-13nm。

4、在一实施方式中,所述二硫化钨的最大直径为3nm-6nm,中间直径为2nm-5nm。

5、在一实施方式中,所述二硫化钨呈矩形。

6、在一实施方式中,所述二硫化钨的最大直径与所述碳晶的棱长的比值为1∶1.8-1∶3。

7、在一实施方式中,所述磁性复合材料中,所述二硫化钨与所述碳晶的质量比为1∶1.3-1∶1.5。

8、在一实施方式中,所述磁性复合材料中还包括有导热颗粒和/或纳米磁性材料,至少部分所述碳晶的表面附着有所述导热颗粒和/或所述纳米磁性材料,至少部分所述二硫化钨的表面附着有所述导热颗粒和/或所述纳米磁性材料,且所述碳晶群的至少部分间隙填充有所述导热颗粒和/或所述纳米磁性材料。

9、一种如上述的磁性复合材料的制备方法,包括以下步骤:

10、提供二硫化钨以及碳晶群;以及

11、将所述二硫化钨以及所述碳晶群进行混合,得到磁性复合材料。

12、在一实施方式中,提供二硫化钨的步骤包括:将氯化钨与硫代乙酰胺进行水热反应,将得到的固体产物进行硫化,得到二硫化钨;

13、其中,将氯化钨与硫代乙酰胺进行水热反应的步骤中,所述氯化钨在所述水热反应的反应液中的质量分数为0.4%-0.7%,所述硫代乙酰胺在所述水热反应的反应液中的质量分数为0.9%-1.2%,温度为270℃-290℃,时间为12h-24h。

14、在一实施方式中,提供碳晶群的步骤包括:将双氧水与氧化石墨烯混合,再与多孔氧化石墨烯的悬浮液进行混合,保温后浓缩,将浓缩的产物在真空条件下进行干燥,得到碳晶群。

15、在一实施方式中,将所述二硫化钨以及所述碳晶群混合的步骤包括:将包括有所述碳晶群的悬浮液进行硫化,然后与所述二硫化钨混合,分离出固体产物后将所述固体产物在保护性气体的气氛下进行退火处理。

16、一种吸波组合物,包括如上述的磁性复合材料。

17、一种吸波材料,所述吸波材料由如上述的吸波组合物制备得到。

18、一种电子设备,所述电子设备包括如上述的吸波材料。

19、本专利技术提供的磁性复合材料中,第一、二硫化钨呈片状,第二、碳晶呈三维立体棱形,且具有孔道结构,第三、三维立体棱形的碳晶之间能够紧密结合成碳晶群,同时,片状的二硫化钨不仅附着于至少部分碳晶的表面,还填充于碳晶群的至少部分间隙,使得碳晶与二硫化钨能够更加紧密且稳定的结合;以上三方面共同作用,使得碳晶与二硫化钨相互协同,一方面使磁性复合材料的吸收带宽覆盖低频电磁波至高频电磁波,另一方面,使得磁性复合材料具有较高的电导率,加强磁性复合材料中电子的移动,增强磁性复合材料的插入损耗,使得磁性复合材料具有吸波性能强的优势。

20、另外,由于本专利技术磁性复合材料中的碳晶以及二硫化钨均具有密度小以及良好热稳定性的优势,因此本专利技术提供的磁性复合材料还具有质轻、热稳定性好的优势。

21、综上,当将磁性复合材料制成吸波材料应用于电子设备中时,第一、能够增强电子设备在5g高速网络下信号传输质量,满足当前可变带宽的功能需求,适用于通信网络链路多种信号、带宽的调制手段,第二、能够增强电子设备的功能稳定性,第三、不会增加电子设备的重量。

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【技术保护点】

1.一种磁性复合材料,其特征在于,包括由多个碳晶构成的碳晶群,至少部分所述碳晶的表面附着有二硫化钨,且所述碳晶群的至少部分间隙填充有二硫化钨;其中,所述碳晶呈三维立体棱形,且所述碳晶具有孔道结构,所述二硫化钨呈片状。

2.根据权利要求1所述的磁性复合材料,其特征在于,所述碳晶的棱长为10nm-13nm。

3.根据权利要求2所述的磁性复合材料,其特征在于,所述二硫化钨的最大直径为3nm-6nm,中间直径为2nm-5nm。

4.根据权利要求3所述的磁性复合材料,其特征在于,所述二硫化钨呈矩形。

5.根据权利要求3所述的磁性复合材料,其特征在于,所述二硫化钨的最大直径与所述碳晶的棱长的比值为1∶1.8-1∶3。

6.根据权利要求1所述的磁性复合材料,其特征在于,所述磁性复合材料中,所述二硫化钨与所述碳晶的质量比为1∶1.3-1∶1.5。

7.根据权利要求1-6任一项所述的磁性复合材料,其特征在于,所述磁性复合材料中还包括有导热颗粒和/或纳米磁性材料,至少部分所述碳晶的表面附着有所述导热颗粒和/或所述纳米磁性材料,至少部分所述二硫化钨的表面附着有所述导热颗粒和/或所述纳米磁性材料,且所述碳晶群的至少部分间隙填充有所述导热颗粒和/或所述纳米磁性材料。

8.一种如权利要求1-7任一项所述的磁性复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

9.根据权利要求8所述的磁性复合材料的制备方法,其特征在于,提供二硫化钨的步骤包括:将氯化钨与硫代乙酰胺进行水热反应,将得到的固体产物进行硫化,得到二硫化钨;

10.根据权利要求8所述的磁性复合材料的制备方法,其特征在于,提供碳晶群的步骤包括:将双氧水与氧化石墨烯混合,再与多孔氧化石墨烯的悬浮液进行混合,保温后浓缩,将浓缩的产物在真空条件下进行干燥,得到碳晶群。

11.根据权利要求8所述的磁性复合材料的制备方法,其特征在于,将所述二硫化钨以及所述碳晶群混合的步骤包括:将包括有所述碳晶群的悬浮液进行硫化,然后与所述二硫化钨混合,分离出固体产物后将所述固体产物在保护性气体的气氛下进行退火处理。

12.一种吸波组合物,其特征在于,包括如权利要求1-7任一项所述的磁性复合材料。

13.一种吸波材料,其特征在于,所述吸波材料由如权利要求12所述的吸波组合物制备得到。

14.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括如权利要求13所述的吸波材料。

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【技术特征摘要】

1.一种磁性复合材料,其特征在于,包括由多个碳晶构成的碳晶群,至少部分所述碳晶的表面附着有二硫化钨,且所述碳晶群的至少部分间隙填充有二硫化钨;其中,所述碳晶呈三维立体棱形,且所述碳晶具有孔道结构,所述二硫化钨呈片状。

2.根据权利要求1所述的磁性复合材料,其特征在于,所述碳晶的棱长为10nm-13nm。

3.根据权利要求2所述的磁性复合材料,其特征在于,所述二硫化钨的最大直径为3nm-6nm,中间直径为2nm-5nm。

4.根据权利要求3所述的磁性复合材料,其特征在于,所述二硫化钨呈矩形。

5.根据权利要求3所述的磁性复合材料,其特征在于,所述二硫化钨的最大直径与所述碳晶的棱长的比值为1∶1.8-1∶3。

6.根据权利要求1所述的磁性复合材料,其特征在于,所述磁性复合材料中,所述二硫化钨与所述碳晶的质量比为1∶1.3-1∶1.5。

7.根据权利要求1-6任一项所述的磁性复合材料,其特征在于,所述磁性复合材料中还包括有导热颗粒和/或纳米磁性材料,至少部分所述碳晶的表面附着有所述导热颗粒和/或所述纳米磁性材料,至少部分所述二硫化钨的表面附着有所述导热颗粒和/或所述纳米磁性材料,且所述碳晶群的...

【专利技术属性】
技术研发人员:王雷舒金表孔阳陈阿龙邓志吉刘明
申请(专利权)人:浙江大华技术股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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