一种釉料和导电陶瓷及其制备方法技术

本发明专利技术涉及导电陶瓷制备技术领域，公开了一种釉料和导电陶瓷及其制备方法。以所述釉料的总重量为基准，所述釉料含有5‑40wt％SiO2、1‑20wt％B2O3、40‑80wt％Bi2O3和5‑30wt％K2O。所述釉料其具有良好的铺展性和润湿性，可在陶瓷基体表面分布均匀，与陶瓷基体保持良好的结合力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及导电陶瓷制备，具体涉及一种釉料和导电陶瓷及其制备方法。

技术介绍

1、目前市面上常见的导电陶瓷大部分为氧化锆陶瓷、β-al2o3导电陶瓷和锂离子导电陶瓷等，被广泛应用于固态电池、传感器、热力学测定和发热体等领域。然而导电陶瓷在工作过程中常伴随高温产生(300-500℃)，长时间的高温不仅会对陶瓷表面金属电路造成氧化，也会对陶瓷内部金属固溶元素造成氧化，降低其使用寿命。

2、当前陶瓷表面涂层制备技术有高温自蔓延合成法、气相沉积法、热喷涂和浆料涂刷法等。其中高温自蔓延合成法工序简单，但需要纯度极高的粉末作为原料，不适合产品的批量生产。通过气相沉积制备的表面釉层致密度高、纯度高，但生产成本高、效率较低。热喷涂法制备的涂层易出现孔隙，结合力较差。浆料涂刷法是目前最常用的加工方式，将玻璃釉粉用乙醇分散后涂覆在导电陶瓷表面，再将导电陶瓷和表面釉层整体置于气氛炉中烧结；该方法烧结温度控制困难，具有烧结均匀性差、易产生釉料堆积等缺陷。采用等离子喷涂法进行釉料的喷涂时，由于喷料速度较快，分体撞击在基体表面易产生颗粒未溶、气孔等缺陷，涂层与基体强度不本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种釉料，其特征在于，以所述釉料的总重量为基准，所述釉料含有5-40wt％SiO2、1-20wt％B2O3、40-80wt％Bi2O3和5-30wt％K2O。

2.根据权利要求1所述的釉料，其特征在于，以所述釉料的总重量为基准，所述釉料含有10-20wt％SiO2、5-15wt％B2O3、50-70wt％Bi2O3和10-20wt％K2O。

3.根据权利要求1或2所述的釉料，其特征在于，所述釉料的熔点为450-550℃。

4.根据权利要求1或2所述的釉料，其特征在于，所述釉料的粒径≤5μm。

5.一种导电陶瓷，该导电陶瓷包括陶瓷基材和附...

【技术特征摘要】

1.一种釉料，其特征在于，以所述釉料的总重量为基准，所述釉料含有5-40wt％sio2、1-20wt％b2o3、40-80wt％bi2o3和5-30wt％k2o。

2.根据权利要求1所述的釉料，其特征在于，以所述釉料的总重量为基准，所述釉料含有10-20wt％sio2、5-15wt％b2o3、50-70wt％bi2o3和10-20wt％k2o。

3.根据权利要求1或2所述的釉料，其特征在于，所述釉料的熔点为450-550℃。

4.根据权利要求1或2所述的釉料，其特征在于，所述釉料的粒径≤5μm。

5.一种导电陶瓷，该导电陶瓷包括陶瓷基材和附着在所述陶瓷基材表面的釉层，其特征在于，所述釉层由权利要求1-4中任意一项所述的釉料形成。

6.根据权利要求5所述的导电陶瓷，其特征在于，所述釉层通过激光熔覆法形成。

7.根据权利要求5所述的导电陶瓷，其特征在于，所述陶瓷基材为氧化锆导电陶瓷。

8.根据权利要求5-7中任意一项所述的导电陶瓷，其特征在于，所述釉层的厚度为50-200μm。

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【专利技术属性】
技术研发人员：张航，张伟荣，江品颐，林信平，
申请(专利权)人：比亚迪精密制造有限公司，
类型：发明
国别省市：