用于检测DOI的探测装置、探测方法、PET设备及电子设备制造方法及图纸

本申请提供了一种用于检测DOI的探测装置、探测方法、PET设备及电子设备，该装置包括：闪烁晶体阵列单元，用于捕捉高能粒子，以将高能粒子转化成可见光信号；与闪烁晶体阵列单元耦合的光电转换阵列单元，用于接收可见光信号并将可见光信号转变为电信号；其中，闪烁晶体阵列单元通过若干个基本晶体单元形成阵列，每个基本晶体阵列单元包括两个相对间隔布置且分别与光电转换阵列单元的其中一个光电转换器耦合的闪烁晶体，两个闪烁晶体之间具有缝隙，在基本晶体单元远离光电转换器的一端设置有形成可见光通道的晶体连接部，在晶体连接部与光电转换器之间的缝隙内布置光信号阻挡件。本申请解决了现有技术中无法准确检测和判断DOI深度的问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及doi探测器领域，尤其涉及一种用于检测doi的探测装置、探测方法、pet设备及电子设备。

技术介绍

1、pet探测器主要由闪烁晶体和sipm组成，主要用于捕捉高能粒子并将高能粒子转化成可采集的电信号。其中，闪烁晶体用于捕捉高能粒子并将高能粒子转化成可见光信号，sipm则用于将闪烁晶体捕捉转化而成的可见光信号转变成脉冲信号。

2、一般而言，高能粒子在闪烁晶体里发生能量沉积并转化为可见光信号的深度位置称为作用深度(depth of interaction，简称doi)，而现有的探测器为单向探测，由于探测器本身自有高度的存在，使得高能粒子在闪烁晶体里的沉积深度不能被准确地捕捉，由此无法准确地检测所采集的脉冲信号所对应的脉冲时间、能量、及位置信息，从而无法确定doi的深度。因此现有探测器并不能对doi进行检测和判断。

3、有鉴于此，本申请需要对现有技术中的探测器进行改进，以解决上述技术问题。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种用于检测doi的探测装置、探测方法、pet设备及电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于检测DOI的探测装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的探测装置，其特征在于，所述晶体连接部分别与两个闪烁晶体的内侧贴合布置以形成所述两个闪烁晶体之间的可见光通道。

3.根据权利要求2所述的探测装置，其特征在于，所述晶体连接部将所述两个闪烁晶体之间的缝隙一分为二，每一段缝隙中均设置光信号阻挡件。

4.根据权利要求1所述的探测装置，其特征在于，所述两个闪烁晶体通过同一晶体结构自底端向顶端凹陷形成。

5.根据权利要求4所述的探测装置，其特征在于，所述晶体结构内的缝隙自顶端向底端方向延伸，所述缝隙内布置有光信号阻挡件。...

【技术特征摘要】

1.一种用于检测doi的探测装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的探测装置，其特征在于，所述晶体连接部分别与两个闪烁晶体的内侧贴合布置以形成所述两个闪烁晶体之间的可见光通道。

3.根据权利要求2所述的探测装置，其特征在于，所述晶体连接部将所述两个闪烁晶体之间的缝隙一分为二，每一段缝隙中均设置光信号阻挡件。

4.根据权利要求1所述的探测装置，其特征在于，所述两个闪烁晶体通过同一晶体结构自底端向顶端凹陷形成。

5.根据权利要求4所述的探测装置，其特征在于，所述晶体结构内的缝隙自顶端向底端方向延伸，所述缝隙内布置有光信号阻挡件。

6.根据权利要求2或4所述的探测装置，其特征在于，所述光信号阻挡件配置为硫酸钡填充物。

7.根据权利要求1所述的探测装置，其特征在于，所述可见光遮挡单元包括锡箔、硫酸钡填充物或者涂层。

8.根据权利要求6所述的探测装置，其特征在于，所述晶体连接部的纵向...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱标，房磊，彭冠华，胡云，黄文略，张建兵，
申请(专利权)人：合肥锐世数字科技有限公司，
类型：发明
国别省市：