一种IBC太阳能电池、电池组件及光伏系统技术方案

本技术适用于太阳能电池技术领域，提供一种IBC太阳能电池、电池组件及光伏系统，IBC太阳能电池包括：硅基底；设于硅基底背面的隧穿层；设于隧穿层上的背极及发射极；设于背极上的第一TiN膜；设于发射极上的第二TiN膜；设于第一TiN膜上的第一金属电极；以及设于第二TiN膜上的第二金属电极。本技术提供的IBC太阳能电池设置第一TiN膜及第二TiN膜取代传统IBC太阳能电池的ITO膜，可以极大程度降低IBC太阳能电池的生产成本，且避免IBC太阳能电池生产与使用过程中对周围环境产生重金属污染。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳能电池，具体涉及一种ibc太阳能电池、电池组件及光伏系统。

技术介绍

1、由于ibc太阳能电池的正面没有栅线，大大提高了太阳能电池对光的利用率，增大短路电流，因而被认为是未来主流晶硅电池路线之一。但是，由于ibc电池膜层结构复杂，层与层之间的接触电阻过大会导致电池串阻(rs)提高，降低填充因子(ff)，直接影响电池效率。其中，发射极及背极与金属电极之间的接触电阻过大的问题，很大程度制约了电池效率的提升。

2、现有技术中，为了提高ibc太阳能电池的背极/发射极与金属电极之间的导电性，通常在背极/发射极与金属栅线之间设置ito膜来改善两者间的欧姆接触。一方面，ito膜的成分为sno2：in2o3氧化物，而ito膜的主要原料in作为一种稀有元素，其在地球丰度低，分布离散且开采难度大，其价格昂贵，导致ibc太阳能电池生产成本高；另一方面，in作为一种有毒性的重金属，其在生产过程中有重金属污染的可能，导致ibc太阳能电池在生产与使用过程中易对周围环境产生重金属污染。

技术实现思路>

1、本技术提本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种IBC太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的IBC太阳能电池，其特征在于，所述发射极为P型氢化非晶硅或P型多晶硅。

3.根据权利要求1所述的IBC太阳能电池，其特征在于，所述背极为N型氢化非晶硅或N型多晶硅。

4.根据权利要求1所述的IBC太阳能电池，其特征在于，所述第一TiN膜及所述第二TiN膜的厚度为1～20nm。

5.根据权利要求1所述的IBC太阳能电池，其特征在于，所述第一TiN膜及所述第二TiN膜的光线透过率为40％～93％。

6.根据权利要求1所述的IBC太阳能电池，其特征在于，所述第一Ti...

【技术特征摘要】

1.一种ibc太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的ibc太阳能电池，其特征在于，所述发射极为p型氢化非晶硅或p型多晶硅。

3.根据权利要求1所述的ibc太阳能电池，其特征在于，所述背极为n型氢化非晶硅或n型多晶硅。

4.根据权利要求1所述的ibc太阳能电池，其特征在于，所述第一tin膜及所述第二tin膜的厚度为1～20nm。

5.根据权利要求1所述的ibc太阳能电池，其特征在于，所述第一tin膜及所述第二tin膜的光...

【专利技术属性】
技术研发人员：韦沛成，王渊，邱开富，陈刚，
申请(专利权)人：浙江爱旭太阳能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：