【技术实现步骤摘要】
各种实施例总体上涉及一种封装体以及一种制造封装体的方法。
技术介绍
1、常规封装体可包括安装在诸如引线框架的芯片载体上的电子构件,所述常规封装体可通过从芯片延伸到芯片载体或引线的连接导线电连接,并且所述常规封装体可选择性地使用模制化合物作为包封材料来模制。
2、由于高翘曲,传统封装体的可靠性可能是个问题。
技术实现思路
1、可能需要具有高可靠性的封装体。
2、根据一个示例性实施例,提供了一种制造封装体的方法,其中,所述方法包括:提供具有用于安装至少一个电子构件的至少一个构件安装区域的载体,其中,所述载体根据初始曲率方向被预翘曲;提供所述至少一个电子构件,其中,所述至少一个电子构件包括在第一表面上的至少一个第一电极和在第二表面上的至少一个第二电极,其中,所述第二表面与所述第一表面相反;通过焊料结构将所述至少一个电子构件以所述第二表面安装在所述至少一个构件安装区域上;以及在安装期间向所述载体和所述至少一个电子构件施加环境条件,使得所述载体(以及可选的还有所述至少一个电子
...【技术保护点】
1.一种制造封装体(100)的方法,其中,所述方法包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述方法包括:在安装期间施加环境条件来使载体(102)再度翘曲而使得所述载体(102)在安装平面上的翘曲(W)小于50μm、特别是在10μm至20μm的范围内。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,所述方法包括以下特征之一:
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,焊料结构(114)包括AuSn、NiSn、CuSn、InSn的组中的至少一个。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其中,焊料结构(114)设置在所
...【技术特征摘要】
1.一种制造封装体(100)的方法,其中,所述方法包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述方法包括:在安装期间施加环境条件来使载体(102)再度翘曲而使得所述载体(102)在安装平面上的翘曲(w)小于50μm、特别是在10μm至20μm的范围内。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,所述方法包括以下特征之一:
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,焊料结构(114)包括ausn、nisn、cusn、insn的组中的至少一个。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其中,焊料结构(114)设置在所述至少一个电子构件(106、108)的第二表面上的第二电极(113)上。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法,其中,焊料结构(114)的厚度(b)在1μm至10μm的范围内、特别是在3μm至5μm的范围内。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法,其中,所述方法包括:通过扩散焊接将所述至少一个电子构件(106、108)安装在所述至少一个构件安装区域(103、104)上。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法,其中,初始曲率方向(110)对应于所述至少一个构件安装区域(103、104)的凹形安装表面,所述至少一个电子构件(106、108)安装在所述凹形安装表面上。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法,其中,所施加的环境条件包括:升高温度然后冷却。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,升高的温度在300℃至400℃的范围内、特别是在320℃至380℃的范围内、更特别是在340℃至360℃的范围内。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法,其中,所施加的环境条件包括连接压力,所述连接压力用于将所述至少一个电子构件(106、108)与所述至少一个构件安装区域(103、104)连接并且随后所述连接压力被释放。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,所述连接压力为至少1n/mm2、特别是为至少...
【专利技术属性】
技术研发人员:A·R·穆罕默德,S·T·刘,C·Y·郑,王莉双,E·J·B·塞洛里奥,I·毛斯,
申请(专利权)人:英飞凌科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。