【技术实现步骤摘要】
本公开涉及计量学，并且更特别地，涉及电感式位置换能器系统。
技术介绍
1、电感式位置换能器广泛用于测量一个或多个感测元件(例如，可替代地称为接收器绕组元件)与一个或多个干扰元件(例如，标度元件)之间的相对位移，该一个或多个干扰元件调制感测元件与场发生线圈(例如，可替代地称为发射器绕组)之间的电感耦合。在各种传统的电感式位置换能器中(例如，如美国专利号6,005,387和6,011,389中公开的那些，这些美国专利中的每个美国专利据此全文以引用方式并入本文)，使用功率较低的间歇驱动电路来向场发生线圈提供时变驱动信号。在'389和'387专利中，间歇驱动电路通过由场发生线圈形成的电感器对电容器放电。这会导致场发生线圈“振铃”。也就是说，通过由场发生线圈和串联连接的电阻器形成的电感器将充电的电容器连接到地所释放的电流振荡并呈指数衰减。虽然'389和'387专利中公开的场发生线圈驱动电路适用于为某些操作设计的电感式位置换能器，但是这些场发生线圈驱动电路可能具有某些限制(例如，关于速度、分辨率等)。
2、另外，对于各种先前已知的电感式...
【技术保护点】
1.一种电感式位置换能器系统，所述电感式位置换能器系统包括：
2.根据权利要求1所述的电感式位置换能器系统，其中所述电流驱动单级差分放大器包括第一单级放大器部分和第二单级放大器部分。
3.根据权利要求2所述的电感式位置换能器系统，其中所述第一单级放大器部分和所述第二单级放大器部分包括金属氧化物半导体晶体管。
4.根据权利要求2所述的电感式位置换能器系统，其中所述第一单级放大器部分和所述第二单级放大器部分各自是各自包括p沟道MOS晶体管和n沟道MOS晶体管的互补的放大器部分。
5.根据权利要求2所述的电感式位置换能器系统，
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【技术特征摘要】
1.一种电感式位置换能器系统，所述电感式位置换能器系统包括：
2.根据权利要求1所述的电感式位置换能器系统，其中所述电流驱动单级差分放大器包括第一单级放大器部分和第二单级放大器部分。
3.根据权利要求2所述的电感式位置换能器系统，其中所述第一单级放大器部分和所述第二单级放大器部分包括金属氧化物半导体晶体管。
4.根据权利要求2所述的电感式位置换能器系统，其中所述第一单级放大器部分和所述第二单级放大器部分各自是各自包括p沟道mos晶体管和n沟道mos晶体管的互补的放大器部分。
5.根据权利要求2所述的电感式位置换能器系统，其中：
6.根据权利要求1所述的电感式位置换能器系统，所述电感式位置换能器系统还包括控制器，其中所述放大器部分包括从所述控制器接收偏置电流的偏置电流部分，为此，所述控制器被配置为向所述放大器部分提供所述偏置电流，以将所述第一场发生线圈上的电压保持在指定电压电平。
7.根据权利要求6所述的电感式位置换能器系统，其中所述偏置电流部分包括形成电流镜的两个mos晶体管。
8.根据权利要求6所述的电感式位置换能器系统，其中所述控制器被配置为调整提供到所述放大器部分的所述偏置电流，以将所述第一场发生线圈上的所述电压维持在指定电压电平，使得：
9.根据权利要求6所述的电感式位置换能器系统，其中所述控制器被配置为：
10.根据权利要求1所述的电感式位置换能器系统，所述电感式位置换能器系统包括半导体芯片，在所述半导体芯片上，所述放大器部分和所述谐振电路部分均作为集成电路的一部分被包括在内。
11.根据权利要求10所述的电感式位置换能器系统，其中所述放大器部分的所述电流驱动单级差分放大器包括金属氧化物半导体晶体管。
12.根据权利要求1所述的电感式位置换能器系统，其中所述放大器部分接收电源电压并基于所述电源电压进行操作。<...
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