半导体及显示器工艺的废气处理装置制造方法及图纸

根据本发明专利技术实施例的一种半导体及显示器工艺的废气处理装置，包括：预处理单元，形成有流入口及排出口，向通过上述流入口流入的废气喷射洗涤液，以一次处理废气中的粒子性物质及酸性气体；反应单元，同时处理从上述预处理单元排出的废气中的氟化合物及一氧化二氮(N<subgt;2</subgt;O)；后处理单元，向从上述反应单元排出的废气喷射洗涤液，以二次处理废气中的粒子性物质及酸性气体；热交换单元，设置于上述预处理单元和上述反应单元之间，以对从上述反应单元排出的废气和从上述预处理单元排出的废气进行一次热交换，并将经一次热交换的上述反应单元的废气与流入上述预处理单元的废气进行二次热交换。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体及显示器工艺的废气处理装置，尤其涉及可提高废气处理效率及废热回收率的半导体及显示器工艺的废气处理装置。

技术介绍

1、一般而言，cf4、chf3、nf3、sf6等全氟化合物，广泛用作半导体蚀刻工艺的蚀刻剂及化学沉积工艺的反应器洗涤剂。

2、但在工艺过程中，因全氟化合物未被全部消耗掉，未反应气体有可能残留于半导体废气中，从而可产生附加生成的气体，甚至原料气体直接从真空泵排出。

3、较之先前使用的氟氯碳(cfc：chloro-fluorocarbon)，全氟化合物为更安全稳定的物质，可替代cfc使用，但全球变暖指数比二氧化碳高达数千至数万倍，导致严重的环境污染。

4、因此，为环境保护，全氟化合物严谨排出至大气中，而且随着全世界对换季污染问题的关注度越来越高，将来的限制将变得更加严苛。

5、因此，为净化半导体制造工艺中产生的废气，一般使在湿式于处理器中去除粉尘及酸性气体的废气流入反应器，通过热分解及催化反应等分解全氟化合物，在湿式后处理器中去除残留于废气中的粒子状物质及酸性气体。

6本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体及显示器工艺的废气处理装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体及显示器工艺的废气处理装置，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的半导体及显示器工艺的废气处理装置，其特征在于：

4.根据权利要求1所述的半导体及显示器工艺的废气处理装置，其特征在于：

5.根据权利要求4所述的半导体及显示器工艺的废气处理装置，其特征在于：

【技术特征摘要】

1.一种半导体及显示器工艺的废气处理装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体及显示器工艺的废气处理装置，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的半导体及显示器工艺的废...

【专利技术属性】
技术研发人员：金哲焕，金东秀，金贤景，辛康植，金丽珍，
申请(专利权)人：玛特普拉斯有限公司，
类型：发明
国别省市：