本发明专利技术涉及一种数字电路中的潜在缺陷位置分析方法、装置、电子设备及存储介质，属于数字电路分析领域，该方法包括获取数字电路中标准单元的参考缺陷关键度；根据标准单元的实际负载得到标准单元的缩放因子；根据标准单元的参考缺陷关键度和缩放因子，得到标准单元的实际缺陷关键度；根据标准单元的实际缺陷关键度确定数字电路中的潜在缺陷位置。通过上述技术方案，利用参考缺陷关键度得到实际缺陷关键度，并进一步根据实际缺陷关键度确定潜在缺陷位置，利用仿真实验得到的参考缺陷关键度，反应潜在缺陷的影响，确保潜在缺陷的分析结果的有效性，从而提高芯片的测试质量，进一步帮助提高芯片的质量和可靠性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及数字电路分析领域，具体地，涉及一种数字电路中的潜在缺陷位置分析方法、装置、电子设备及存储介质。
技术介绍
1、随着芯片在各个领域的广泛应用，在确保芯片在工作过程中不发生故障变的同时，也需要考虑芯片中出现的越来越多的难以检测的潜在缺陷，这些潜在缺陷是影响芯片质量和可靠性的主要因素之一。对于现代半导体工艺技术而言，每一颗芯片的制造要经过上千道工艺过程；在设计层面，多工艺多工作模式的设计范式要求使得芯片能够在各种复杂环境下正常工作。复杂的工艺过程使得缺陷的种类更多，缺陷出现的可能性更高，而芯片应用场景的多样化又使得芯片对缺陷的容忍度更低。所以，对于现代集成数字电路而言，先进的设计方法和工艺技术，在极大程度提高芯片性能的同时，也给芯片的测试带来巨大的挑战。因此，如何分析数字电路中的潜在缺陷位置，提高芯片的质量和可靠性，成为了亟待解决的问题。
技术实现思路
1、为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种数字电路中的潜在缺陷位置分析方法、装置、电子设备及存储介质。
>2、根据本专利技术本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种数字电路中的潜在缺陷位置分析方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的数字电路中的潜在缺陷位置分析方法，其特征在于，所述获取数字电路中标准单元的参考缺陷关键度，包括：
3.根据权利要求2所述的数字电路中的潜在缺陷位置分析方法，其特征在于，所述在标准负载下，根据注入缺陷后的所述标准单元，得到所述数字电路中标准单元中的每个单元缺陷位置的参考缺陷关键度，包括：
4.根据权利要求3所述的数字电路中的潜在缺陷位置分析方法，其特征在于，所述方法还包括：
5.根据权利要求4所述的数字电路中的潜在缺陷位置分析方法，其特征在于，所述方...
【技术特征摘要】
1.一种数字电路中的潜在缺陷位置分析方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的数字电路中的潜在缺陷位置分析方法，其特征在于，所述获取数字电路中标准单元的参考缺陷关键度，包括：
3.根据权利要求2所述的数字电路中的潜在缺陷位置分析方法，其特征在于，所述在标准负载下，根据注入缺陷后的所述标准单元，得到所述数字电路中标准单元中的每个单元缺陷位置的参考缺陷关键度，包括：
4.根据权利要求3所述的数字电路中的潜在缺陷位置分析方法，其特征在于，所述方法还包括：
5.根据权利要求4所述的数字电路中的潜在缺陷位置分析方法，其特征在于，所述方法还包括：
...
【专利技术属性】
技术研发人员：张弘，晋亚伟，张洋，游海龙，陈晨，孙永生，汤正光，刘知行，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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