电致发光器件及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种电致发光器件及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域。电致发光器件包括：相对设置的第一电极和第二电极；至少两个发光单元，至少两个发光单元依次层叠设置在第一电极和第二电极之间；以及至少一个电荷产生层，各电荷产生层分别设置在相邻的两个发光单元之间，电荷产生层的材料包括第一金属氧化物、第二金属氧化物和第三金属氧化物，第一金属氧化物的导带能级介于第二金属氧化物的导带能级与‑4.5eV之间，第三金属氧化物的价带能级介于第一金属氧化物的导带能级与‑5.5eV之间。本发明专利技术提供的电致发光器件中电荷产生层的电荷产生效率高，器件性能佳。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示，具体涉及电致发光器件及其制备方法、显示装置。

技术介绍

1、采用电荷产生层(cgl)将包括发光层的发光单元串联起来的叠层结构具有高电流效率和长运行寿命的优点，因此被广泛应用于显示
然而，现有叠层器件中电荷产生层的电荷产生效率较低，极大的限制了叠层技术的发展。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种电致发光器件，该电致发光器件中电荷产生层的电荷产生效率高，器件性能佳。

2、本专利技术的另一目的在于提供电致发光器件的制备方法。

3、本专利技术的再一目的在于提供一种显示装置。

4、本专利技术解决技术问题是采用以下技术方案来实现的：

5、电致发光器件，包括：

6、相对设置的第一电极和第二电极；

7、至少两个发光单元，至少两个发光单元依次层叠设置在第一电极和第二电极之间；以及

8、至少一个电荷产生层，各电荷产生层分别设置在相邻的两个发光单元之间，电荷产生层的材料包括第一金属氧化物、第二金属氧化物和第三本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.电致发光器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，-5.0eV≤所述第一金属氧化物的导带能级≤-4.5eV；和/或

3.根据权利要求2所述的电致发光器件，其特征在于，所述第一金属氧化物选自ZnO、Znx1Mgy1O、Znx1Aly1O、Znx2Mgy2Liz2O、SnO2、Znx1Sny1O中的一种或多种，其中x1+y1＝1或者x2+y2+z2＝1；和/或

4.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述第一金属氧化物在所述电荷产生层的材料中的占比为10～40wt％；和/或

5.根据权利要求1所述...

【技术特征摘要】

1.电致发光器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，-5.0ev≤所述第一金属氧化物的导带能级≤-4.5ev；和/或

3.根据权利要求2所述的电致发光器件，其特征在于，所述第一金属氧化物选自zno、znx1mgy1o、znx1aly1o、znx2mgy2liz2o、sno2、znx1sny1o中的一种或多种，其中x1+y1＝1或者x2+y2+z2＝1；和/或

4.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述第一金属氧化物在所述电荷产生层的材料中的占比为10～40wt％；和/或

5.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述电荷产生层的厚度为5～30nm；和/或

6.根据权利要求1～5任一项所述的电致发光器件，其特征在于，各所述发光单元分别独立地包括：发光层；所述发光层的材料选自单一结构量子点、核壳结构量子点、掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型量子点、有机-无机杂化钙钛矿型量子点中的一种或多种；其中，所述单一结构量子点选自ii-vi族化合物、iii-v族化合物、ii-v族化合物、iii-vi化合物、iv-vi族化合物、i-iii-vi族化合物、ii-iv-vi族化合物、iv族单质中的一种或多种，所述ii-vi族化合物选自cdse、cds、cdte、znse、zns、cdte、znte、cdzns、cdznse、cdznte、znses、znsete、zntes、cdses、cdsete、cdtes、cdznses、cdznsete、cdznste中的一种或多种，所述iii-v族化合物选自inp、inas、gap、gaas、gan、gasb、aln、alp、inasp、innp、innsb、gaalnp、inalnp中的一种或多种，所述iv-vi族化合物选自pbs、pbse中的一种或多种；所述i-iii-vi族化合物选自cuins2、cuinse2、agins2中的一种或多种；所述iv族单质选自硅、锗中的一种或多种；所述核壳结构量子点的核选自所述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构量子点的壳层材料选自cds、cdte、cdse、cdsete、cdznse、cdzns、...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯文军，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：