发光二极管及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种发光二极管及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域。发光二极管包括：阳极；阴极；发光层，设置于阳极和阴极之间；电子传输层，设置于阴极和发光层之间；以及界面过渡层，设置于阴极和电子传输层之间；界面过渡层的材料包括纳米簇，纳米簇的表面结合有配体，配体选自氨基、羧基、酰胺基中的一种或多种。本发明专利技术提供的发光二极管的膜层均匀，器件发光效率和使用寿命高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示，具体涉及发光二极管及其制备方法、显示装置。

技术介绍

1、发光二极管是一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量发光。发光二极管可高效地将电能转化为光能，因此，在现代社会具有广泛的应用，例如应用于照明、平板显示、医疗器件等领域。现有的发光二极管取得了一定程度的进步，但器件在稳定性、寿命方面的表现仍欠佳。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种发光二极管，该发光二极管的膜层均匀，器件发光效率和使用寿命高。

2、本专利技术的另一目的在于提供发光二极管的制备方法。

3、本专利技术的再一目的在于提供一种显示装置。

4、本专利技术解决技术问题是采用以下技术方案来实现的：

5、发光二极管，包括：

6、阳极；

7、阴极；

8、发光层，设置于阳极和阴极之间；

9、电子传输层，设置于阴极和发光层之间；以及

10、界面过渡层，设置于阴极和电子传输层之间；界面过渡层的材料包括纳米簇，纳米簇的表本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.发光二极管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述配体与所述纳米簇的质量比为8～10:100。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述纳米簇选自金属纳米簇、金属氧化物纳米簇中的一种或多种。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述纳米簇的金属元素与所述电子传输层的材料的至少一种金属元素相同；和/或

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述纳米簇的平均粒径为1～5nm；和/或

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括空穴功能层，...

【技术特征摘要】

1.发光二极管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述配体与所述纳米簇的质量比为8～10:100。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述纳米簇选自金属纳米簇、金属氧化物纳米簇中的一种或多种。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述纳米簇的金属元素与所述电子传输层的材料的至少一种金属元素相同；和/或

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述纳米簇的平均粒径为1～5nm；和/或

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括空穴功能层，所述空穴功能层设置于所述阳极与所述发光层之间，所述空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层。

7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述阳极的材料选自掺杂或非掺杂的金属氧化物、碳硅材料、金属、复合电极材料中的一种或多种；其中，所述掺杂或非掺杂的金属氧化物选自ito、f...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴劲衡，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：