【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及离子刻蚀，具体涉及一种离子刻蚀装置及其颗粒收集方法。
技术介绍
1、离子束刻蚀工艺是一种纯物理刻蚀工艺，对材料无选择性，几乎可以用来刻蚀任何一种固体材料，包括：金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体、超导体等。
2、在进行离子束刻蚀时，需要把ar，kr或xe之类的惰性气体充入离子源装置中，以电离形成等离子体，然后由栅极将离子呈束状引出并加速，以形成具有一定能量的离子束。离子束可以被引入离子刻蚀装置中，并在离子刻蚀装置中对载片台上的晶圆进行轰击，使材料原子发生溅射，从而达到刻蚀的目的。
3、但是，离子束在轰击晶圆的同时，还会对离子刻蚀装置内的挡板、下电极、内衬等其他部件进行轰击，会溅射出大量的非挥发性的微小颗粒。这些微小颗粒会附着在离子刻蚀装置的壳体内壁上，如果不及时处理，随着射频时间的增长，壳体内壁沉积物不断堆积，在达到临界值时，会发生开裂，并在壳体内产生大量的颗粒。一方面，这些颗粒会改变了壳体内部的环境，影响到刻蚀速率及其均匀性等工艺参数，造成刻蚀工艺参数波动；另一方面，部分颗粒还会...
【技术保护点】
1.一种离子刻蚀装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述离子刻蚀装置，其特征在于，还包括下电极单元(4)，所述下电极单元(4)安装于所述主腔室(11a)，所述吹扫单元(2)集成装配于所述下电极单元(4)。
3.根据权利要求2所述离子刻蚀装置，其特征在于，所述下电极单元(4)包括电极罩(41)，所述电极罩(41)配置有输气孔(411b)；所述吹扫单元(2)包括：
4.根据权利要求3所述离子刻蚀装置，其特征在于，所述电极罩(41)包括主罩部(411)和副罩部(412)，所述主罩部(411)设置有开孔(411a)，所述副罩部(41...
【技术特征摘要】
1.一种离子刻蚀装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述离子刻蚀装置，其特征在于，还包括下电极单元(4)，所述下电极单元(4)安装于所述主腔室(11a)，所述吹扫单元(2)集成装配于所述下电极单元(4)。
3.根据权利要求2所述离子刻蚀装置，其特征在于，所述下电极单元(4)包括电极罩(41)，所述电极罩(41)配置有输气孔(411b)；所述吹扫单元(2)包括：
4.根据权利要求3所述离子刻蚀装置，其特征在于，所述电极罩(41)包括主罩部(411)和副罩部(412)，所述主罩部(411)设置有开孔(411a)，所述副罩部(412)安装于所述主罩部(411)，并能够覆盖所述开孔(411a)，所述输气孔(411b)设置于所述主罩部(411)，所述均气部件(21)装配于所述副罩部(412)。
5.根据权利要求3所述离子刻蚀装置，其特征在于，所述均气部件(21)包括层叠设置的若干均气板。
6.根据权利要求5所述离子刻蚀装置，其特征在于，所述均气板的数量为两个，分别为第一均气板(211)和第二均气板(212)，所述第一均气板(211)密封装配于所述电极罩(41)，所述第二均气板(212)密封装配于所述第一均气板(211)。
7.根据权利要求6所述离子刻蚀装置，其特征在于，所述第一均气板(211)呈桶状，包括第一周向板部(211a)和第一端板部(211b)，所述第一周向板部(211a)和所述电极罩(41)相连，所述第一周向板部(211a)设置有进气孔(211a-1)，所述第一端板部(211b)设置有出气孔(211b-1)，且所述第一端板部(211b)的内壁面设置有导气结构。
8.根据权利要求6所述离子刻蚀装置，其特征在于，所述第二均气板(212)也呈桶状，包括第二周向板部(212a)和第二端板部(212b)，所述第二周向板部(212a)和所述第一均气板(211)相连，所述第二端板部(212b)设置有所述喷气孔(212b-1)。
9.根据权利要求1-8中任一项所述离子刻蚀装置，其特征在于，还包括驱转单元(5)，所述驱转单元(5)和所述吹扫单元(2)相连，所述驱转单元(5)能够控制所述吹扫单元(2)进行转动。
10.根据权利要求1-8中任一项所述离子刻蚀装置，其特征在于，所述颗粒收集单元(3)包括安装筒(31)和固定部件(32)，所述安装筒(31)安装于所述壳体(1)，所述安装筒(31)包括第一筒状部(311)，所述第一筒状部(311)位于所述连通通道(12a)内，所述固定部件(32)位于所述第一筒状部(311)内，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹格华，刘海洋，贺小明，胡冬冬，许跃跃，刘帅，李雪冬，许开东，
申请(专利权)人：江苏鲁汶仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。