真空吸盘装置、气相生长装置及晶圆的处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种真空吸盘装置、气相生长装置及晶圆的处理方法，所述真空吸盘装置包括：基座，基座包括承载部和台阶部，承载部的上表面为晶圆承载面，用于承载晶圆；台阶部设置于承载部下方，并沿承载部的径向向外延伸以在台阶部上形成台阶面；覆盖环，覆盖环包括径向延伸环部和与径向延伸环部连接的竖向延伸环部；在工艺过程中，径向延伸环部遮挡晶圆的边缘上表面，竖向延伸环部位于台阶面上方，其中，台阶部可对覆盖环产生向下的作用力。本发明专利技术能够减小晶圆的翘曲度，提高生长的薄膜的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体设备，特别涉及一种真空吸盘装置、气相生长装置及晶圆的处理方法。

技术介绍

1、在半导体制造过程中，多以真空吸盘(vacuum chuck)装置作为支撑和吸附晶圆的装置。

2、在采用化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)/原子层沉积(atomiclayer deposition，ald)设备处理晶圆时，需要将晶圆吸附在真空吸盘装置表面，然后通过真空吸盘装置对晶圆进行加热，且温度高达400℃以上。在cvd/ald设备中，采用真空吸盘固定晶圆的方法与采用静电吸盘吸附晶圆的方法相比，采用真空吸盘装置真空吸附固定晶圆的方法更容易实现。但由于晶圆的形状在高温下会发生翘曲，因此会影响真空吸盘的性能及晶圆温度的控制。如图1所示，现有技术的真空吸盘装置通常包括基座10，所述基座10的上表面为晶圆承载面，用于承载晶圆w。所述晶圆承载面上开设有真空孔，所述真空孔为所述晶圆w背面提供真空吸附压力p1，当所述基座10升高至高位时，环绕所述晶圆w设有一覆盖环2，所述覆盖环2包括径向延伸环部20和与其连接的竖向延伸环部本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种真空吸盘装置，应用于气相生长装置的腔体内，其特征在于包括：

2.如权利要求1所述的真空吸盘装置，其特征在于，还包括：第一真空通孔，其设置在所述晶圆承载面上；

3.如权利要求2所述的真空吸盘装置，其特征在于，所述气相生长装置还包括抽气通道，用于以第三真空压力P对所述腔体内部抽气，所述第一真空压力P1大于所述第三真空压力P。

4.如权利要求2所述的真空吸盘装置，其特征在于，所述竖向延伸环部的底部设有向上凹陷的环槽。

5.如权利要求4所述的真空吸盘装置，其特征在于，所述环槽的横截面的形状为矩形、三角形和半圆形中的任意一种。

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【技术特征摘要】

1.一种真空吸盘装置，应用于气相生长装置的腔体内，其特征在于包括：

2.如权利要求1所述的真空吸盘装置，其特征在于，还包括：第一真空通孔，其设置在所述晶圆承载面上；

3.如权利要求2所述的真空吸盘装置，其特征在于，所述气相生长装置还包括抽气通道，用于以第三真空压力p对所述腔体内部抽气，所述第一真空压力p1大于所述第三真空压力p。

4.如权利要求2所述的真空吸盘装置，其特征在于，所述竖向延伸环部的底部设有向上凹陷的环槽。

5.如权利要求4所述的真空吸盘装置，其特征在于，所述环槽的横截面的形状为矩形、三角形和半圆形中的任意一种。

6.如权利要求2所述的真空吸盘装置，其特征在于，所述基座的台阶面上设有凹槽部，所述竖向延伸环部的底部设有向下凸出的凸出部；所述凸出部与所述凹槽部相匹配。

7.如权利要求6所述的真空吸盘装置，其特征在于，所述凸出部的横截面呈三角形，所述凹槽部的横截面呈三角形；并且所述凸出部的横截面的顶角角度大于所述凹槽部的横截面的顶角角度。

8.如权利要求2所述的真空吸盘装置，其特征在于，所述第一真空气路和所述第二真空气路相互连通，所述第二真空压力p2等于...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚岳俊，姜勇，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：