分栅快闪存储器及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种分栅快闪存储器，L型擦除栅的第一竖直部分自对准形成于第一开口的侧面，第二横向部分的侧面由形成于第一竖直部分的第二侧面的第一侧墙的第二侧面自对准定义；浮栅位于第二横向部分的底部，浮栅的第二侧面由形成于浮栅侧面的第二侧墙的第二侧面自对准定义；源区由浮栅的第二侧面自对准定义；浮栅的第二侧面形成有第三侧墙，源区顶部的源极线由第一至第三侧墙的第二侧面自对准定义。第一竖直部分的第一侧面自对准定义自对准定义第一栅极间介质层和浮栅的第一侧面，字线栅自对准形成于位于浮栅的第一侧面的第四侧墙的第一侧面以及第四侧墙顶部的第一竖直部分的第一侧面。本发明专利技术还公开了一种分栅快闪存储器的制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种存储器单元器件；本专利技术还涉及一种存储器单元器件的制造方法。

技术介绍

1、低功耗应用中需尽可能降低静态和动态功耗。为此，闪存储器采用分栅快栅存储器，目前业界所采用的各闪存单元及对应的优缺点分别为：

2、第三代嵌入式超级闪存(efs3)，efs3中，源区形成于半导体衬底中，源区需要连接形成源极线(sourcel line，sl)，在源极线的顶部则形成有擦除栅(eg)。同时，在浮栅(fg)的顶部形成有控制栅(cg)。efs3具有面积相对较小的优点，但是工艺复杂，source line阻值过大。

3、第四代嵌入式超级闪存(efs4)中，源区形成于半导体衬底中，源区需要连接形成源极线(sourcel line，sl)，在源极线的顶部则形成有擦除栅(eg)。esf4工艺相对简洁，但是面积较大，source line阻值过大。

4、第二代嵌入式超级闪存(efs2)中，通过浮栅的顶部尖角和字线(wl)栅之间的耦合实现擦除。esf2读动态功耗较大，面积较大。p>

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【技术保护点】

1.一种分栅快闪存储器，其特征在于，包括：第一开口；

2.如权利要求1所述的分栅快闪存储器，其特征在于：所述第一开口由对第一介质层进行图形化刻蚀形成；

3.如权利要求2所述的分栅快闪存储器，其特征在于：所述第一介质层的材料包括氮化硅；

4.如权利要求3所述的分栅快闪存储器，其特征在于：所述第二侧墙的材料包括氧化层；

5.如权利要求3所述的分栅快闪存储器，其特征在于：所述第一栅极间介质层由第三氧化层、第四氮化硅层和第五氧化层叠加而成。

6.如权利要求1所述的分栅快闪存储器，其特征在于：所述浮栅的材料包括多晶硅；

7.如...

【技术特征摘要】

1.一种分栅快闪存储器，其特征在于，包括：第一开口；

2.如权利要求1所述的分栅快闪存储器，其特征在于：所述第一开口由对第一介质层进行图形化刻蚀形成；

3.如权利要求2所述的分栅快闪存储器，其特征在于：所述第一介质层的材料包括氮化硅；

4.如权利要求3所述的分栅快闪存储器，其特征在于：所述第二侧墙的材料包括氧化层；

5.如权利要求3所述的分栅快闪存储器，其特征在于：所述第一栅极间介质层由第三氧化层、第四氮化硅层和第五氧化层叠加而成。

6.如权利要求1所述的分栅快闪存储器，其特征在于：所述浮栅的材料包括多晶硅；

7.如权利要求1所述的分栅快闪存储器，其特征在于：所述第一栅介质层的材料包括氧化层；

8.如权利要求6所述的分栅快闪存储器，其特征在于：在所述字线栅和所述l型擦除栅形成的整体...

【专利技术属性】
技术研发人员：张高明，于涛，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：