【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，尤其涉及用于半导体处理的热台及其应用的半导体处理设备。
技术介绍
1、半导体制造中需要在真空环境中将晶圆加热并保温，通常由热台（heater）来实现，要求温度均匀一致。具体的，热台设于真空的反应腔体内，顶面承载晶圆。
2、然而，在相关技术中，热台构造复杂制造难度高，通常由热台本体、发热体、温度传感器三部分组成。
3、请参阅图1和图2所示，图1展示相关技术中热台的正面视角的透视结构示意图。图2展示图1中热台的p-p向的剖视结构示意图。
4、根据图1可知，第一热台100的本体可分为露出于反应腔体外侧的外侧部分101，以及顶面位于腔体内侧的内侧部分102。所述内侧部分102的顶面为承载晶圆200的承载面。所述内侧部分102内设置发热体结构103。半导体制造中需要在真空环境中通过第一热台100将晶圆加热并保温。如图2所示，展示图1的p-p方向的截面示意图。为此，第一热台100内的发热体结构103通常是同心圆环布置，包括如图2中所示意的同心且环形的外侧发热体131和内侧发热体132。外侧发...
【技术保护点】
1.一种用于半导体处理的热台，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的热台，其特征在于，所述支撑体中在每个扇形结构体的表面外形成空隙。
3.根据权利要求1所述的热台，其特征在于，每个分区结构体中设有柱形结构体，所述加热元件布置于所述柱形结构体。
4.根据权利要求1所述的热台，其特征在于，每个分区结构体在垂直于所述中心轴线的径向平面上的横截面呈现为扇形或环段形状的几何图案。
5.根据权利要求4所述的热台，其特征在于，所述加热元件位于所述几何图案的指向所述中心轴线的中心线上。
6.根据权利要求1所述的热台，其...
【技术特征摘要】
1.一种用于半导体处理的热台，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的热台，其特征在于，所述支撑体中在每个扇形结构体的表面外形成空隙。
3.根据权利要求1所述的热台，其特征在于，每个分区结构体中设有柱形结构体，所述加热元件布置于所述柱形结构体。
4.根据权利要求1所述的热台，其特征在于，每个分区结构体在垂直于所述中心轴线的径向平面上的横截面呈现为扇形或环段形状的几何图案。
5.根据权利要求4所述的热台，其特征在于，所述加热元件位于所述几何图案的指向所述中心轴线的中心线上。
6.根据权利要求1所述的热台，其特征在于，所述至少一个空腔被构造为与所述承载座同轴的圆盘形或圆环形结构，以在实体部分中确定出...
【专利技术属性】
技术研发人员：涂乐义，吴堃，王兆祥，梁洁，陈世名，
申请(专利权)人：上海邦芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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