【技术实现步骤摘要】
各种示例实施例涉及光通信领域。
技术介绍
1、硅光子器件用于制造光子集成电路(pic)。硅光子器件通常与互补金属氧化物半导体(cmos)制造兼容，互补金属氧化物半导体(cmos)制造允许使用已建立的铸造基础设施来制造pic。用于pic的材料平台可以是绝缘体上硅(soi)晶片，并且可以在soi晶片上沉积、图案化多层等。在集成光子学中，光波导用于互连pic上的光子器件或相关功能。例如，光波导可以具有在soi晶片的硅器件层中或在沉积在soi晶片上的另一层(例如，氮化硅层)中图案化的光学芯(optical core)。随着对带宽的需求持续增长，常规的硅调制器变得更加难以满足要求。因此，由非常规材料(例如铌酸锂，磷化铟(inp)等)制成的光子器件可以通过晶片级或pic级混合集成工艺集成在pic上。这些非常规材料被集成在硅光子平台上，以利用硅的成熟处理(以及丰富和良好开发的硅基光子器件库)和某些非常规材料的特性。由于铸造限制，这些非常规材料通常集成在硅光子工艺的后端(或最后步骤)。因此，光子器件位于材料叠层的“上部”层。
2、为了将集成...
【技术保护点】
1.一种光学器件，包括：
2.根据权利要求1所述的光学器件，其中所述光模耦合器被配置为引导所述光模的光，使得所述光模在所述光子集成电路的相同或另一竖直截面中与所述第二平面光波导和所述中间光学层中的至少两个中间光学层的所述光轨基本重叠。
3.根据权利要求1所述的光学器件，其中所述中间光学层中的至少一个中间光学层具有两个或更多个所述光轨。
4.根据权利要求3所述的光学器件，其中所述至少一个中间光学层的至少一个光轨位于所述光学芯的每一侧上。
5.根据权利要求3所述的光学器件，其中，所述两个或更多个光轨的中心段比所述两个或更多个
【技术特征摘要】
1.一种光学器件，包括：
2.根据权利要求1所述的光学器件，其中所述光模耦合器被配置为引导所述光模的光，使得所述光模在所述光子集成电路的相同或另一竖直截面中与所述第二平面光波导和所述中间光学层中的至少两个中间光学层的所述光轨基本重叠。
3.根据权利要求1所述的光学器件，其中所述中间光学层中的至少一个中间光学层具有两个或更多个所述光轨。
4.根据权利要求3所述的光学器件，其中所述至少一个中间光学层的至少一个光轨位于所述光学芯的每一侧上。
5.根据权利要求3所述的光学器件，其中，所述两个或更多个光轨的中心段比所述两个或更多个光轨更加分隔。
6.根据权利要求1所述的光学器件，其中所述平面光波导被配置为在光通信c波段、o波段、s波段和l波段中的至少一个波段中具有基本光模。
7.根据权利要求1所述的光学器件，其中，所述第二平面光波导的所述第二光学芯的折射率小于所述第一平面光波导的所述第一光学芯的折射率。
8.根据权利要求1所述的光学器件，其中，所述光模耦合器的一部分竖直地位于所述第一平面光波导的所述光学芯与第二平面光波导的所述光学芯的锥形部分之间。
9.根据权利要求1所述的光学器件，其中所述光轨大致平行于所述平面光波导的所述光学芯的末端延伸，并且所述中间光学层中的至少一个中间光学层具有位于...
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