一种伪电阻控制电路及电子装置、耦合式放大器制造方法及图纸

技术编号:41857768 阅读:40 留言:0更新日期:2024-06-27 18:32
本发明专利技术提供了一种伪电阻控制电路及电子装置、耦合式放大器,其中一种伪电阻控制电路,包括:电流源,电流源输出偏置电流;电平转换场效应管,电平转换场效应管的栅极与源极电性连接,电平转换场效应管的漏极电性连接于电流源的电流输出端,其中电平转换场效应管的栅极接地,电平转换场效应管接收并转换偏置电流,并于电流源的电流输入端和接地端之间形成偏置电压;以及伪电阻结构,伪电阻结构的源极通过第一晶体管与电流源的电流输入端电性连接,伪电阻结构的栅极通过第二晶体管接地。本发明专利技术在不依赖额外时钟信号的情况下,实现吉欧至太欧级的片上可调电阻,并且阻值受工艺和温度影响小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及模拟集成电路,特别涉及一种伪电阻控制电路及电子装置、耦合式放大器


技术介绍

1、生物电信号分布于次赫兹到几百赫兹的频谱范围内。为了记录低频的生物电信号,信号采集前端的带宽需要包含极低的频段。为耦合式放大器提供一个极大的时间常数,能有效提升对极地频段的采集效率。增加阻值或片上电容能够有利于提升运放中的时间常数。而增大片上电容会导致片上占用面积上升,对集成电路的面积有较大的影响。而且目标信号通常会受到来自其他频段的信号干扰,难以做到对阻值的提升和精确调控。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种伪电阻控制电路及电子装置、耦合式放大器,在不依赖额外时钟信号的情况下,实现吉欧至太欧级的片上可调电阻,并且片上可调电阻的阻值受工艺和温度影响小。

2、为解决上述技术问题,本专利技术是通过以下技术方案实现的:

3、本专利技术提供了一种伪电阻控制电路,包括:

4、电流源,所述电流源输出偏置电流;

5、电平转换场效应管,所述电平转换场效应管的栅极与源极电性连本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种伪电阻控制电路,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种伪电阻控制电路,其特征在于,所述第一晶体管和所述第二晶体管为NMOS管,其中所述第一晶体管的栅极与所述伪电阻结构的源极电性连接,所述第一晶体管的漏极与所述与所述电流源的电流输入端电性连接,所述第一晶体管的源极与所述第二晶体管的漏极电性连接,其中所述第二晶体管的栅极与所述电流源的电流输出端,所述第二晶体管的源极接地。

3.根据权利要求1所述的一种伪电阻控制电路,其特征在于,所述电流源包括电压跟随电流镜,所述电压跟随电流镜的第一输出端输出受调电压,所述电压跟随电流镜的第二输出端输出跟随电压,所述跟...

【技术特征摘要】

1.一种伪电阻控制电路,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种伪电阻控制电路,其特征在于,所述第一晶体管和所述第二晶体管为nmos管,其中所述第一晶体管的栅极与所述伪电阻结构的源极电性连接,所述第一晶体管的漏极与所述与所述电流源的电流输入端电性连接,所述第一晶体管的源极与所述第二晶体管的漏极电性连接,其中所述第二晶体管的栅极与所述电流源的电流输出端,所述第二晶体管的源极接地。

3.根据权利要求1所述的一种伪电阻控制电路,其特征在于,所述电流源包括电压跟随电流镜,所述电压跟随电流镜的第一输出端输出受调电压,所述电压跟随电流镜的第二输出端输出跟随电压,所述跟随电压跟随所述受调电压变化,且所述跟随电压与所述受调电压相等。

4.根据权利要求3所述的一种伪电阻控制电路,其特征在于,所述电流源包括:

5...

【专利技术属性】
技术研发人员:吕宏鸣储若瑜
申请(专利权)人:上海科技大学
类型:发明
国别省市:

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