组合物及其制备方法、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法技术

技术编号:41854212 阅读:16 留言:0更新日期:2024-06-27 18:30
本申请提供了组合物及其制备方法、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法。该组合物中的添加剂可以抑制金属有机团簇在溶剂中的定向排列,从而使得组合物可在常温或低温下长时间储存,并且,长时间存储后组合物涂布形成的涂层的均一性和曝光稳定性均较优,对辐射光源的敏感性高,经辐射后形成的图案的分辨率高、粗糙度较低。故,本申请提供的组合物具有较高的实际应用价值,利于高性能芯片产业的发展。

【技术实现步骤摘要】

本申请实施例涉及化学材料领域,具体涉及组合物及其制备方法、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法


技术介绍

1、目前,集成电路用的图案化材料多为辐射敏感的树脂材料,但其形成的图案的分辨率的极限约为12nm-13nm,已经无法满足市场日益增长的对集成电路的图案精度的需求。相关技术公开了金属有机团簇型图案化材料,其组成元素以及结构多样化使得其尺寸可调性好,可实现较好的图案分辨率。

2、然而不论是相关技术中已有的金属团簇材料,还是待开发的具有图案化应用潜力的金属团簇材料,一般都无法在溶剂中长时间地稳定溶解,其溶解在溶剂中形成的图案化材料溶液在经储存后极易发生结晶析出,降低最终图案的分辨率,甚至导致图案化材料溶液的失效报废,限制了高精度高集成的半导体器件的制造。


技术实现思路

1、鉴于此,本申请实施例提供了组合物及其制备方法、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法。该组合物具有较好的储存稳定性,并且,长时间存储后组合物涂布形成的涂层的均一性和曝光稳定性均较优,对辐射光源的敏感性高,经辐射本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种组合物,其特征在于,包括金属有机团簇、添加剂以及溶剂;

2.根据权利要求1所述的组合物,其特征在于,所述添加剂在所述组合物中的浓度为0.1g/L-10g/L。

3.根据权利要求1所述的组合物,其特征在于,以所述金属有机团簇中的M元素计,所述金属有机团簇在所述组合物中的浓度为0.001mol/L-0.5mol/L。

4.根据权利要求3所述的组合物,其特征在于,以所述金属有机团簇中的M元素计,所述金属有机团簇在所述组合物中的浓度为0.01mol/L-0.1mol/L。

5.根据权利要求1所述的组合物,其特征在于,所述添加剂包括通式为R-...

【技术特征摘要】

1.一种组合物,其特征在于,包括金属有机团簇、添加剂以及溶剂;

2.根据权利要求1所述的组合物,其特征在于,所述添加剂在所述组合物中的浓度为0.1g/l-10g/l。

3.根据权利要求1所述的组合物,其特征在于,以所述金属有机团簇中的m元素计,所述金属有机团簇在所述组合物中的浓度为0.001mol/l-0.5mol/l。

4.根据权利要求3所述的组合物,其特征在于,以所述金属有机团簇中的m元素计,所述金属有机团簇在所述组合物中的浓度为0.01mol/l-0.1mol/l。

5.根据权利要求1所述的组合物,其特征在于,所述添加剂包括通式为r-x的有机化合物,其中,r为非极性基团,x为极性基团;

6.根据权利要求5所述的组合物,其特征在于,所述极性基团选自酰胺基和羧基中的任一种。

7.根据权利要求5所述的组合物,其特征在于,所述添加剂包括芥酸酰胺、油酸酰胺、三甲基乙酸和多醇类非离子型表面活性剂中的至少一种;

8.根据权利要求1所述的组合物,其特征在于,所述溶剂选自羧酸酯类溶剂、醚类溶剂、醇类溶剂、芳香烃类溶剂、卤代烃类溶剂、酰胺类溶剂、有机酸类溶剂和酮类溶剂中的至少一种。

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【专利技术属性】
技术研发人员:请求不公布姓名请求不公布姓名请求不公布姓名请求不公布姓名
申请(专利权)人:珠海基石科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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