【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片,尤其涉及一种gpu缓存系统。
技术介绍
1、随着3d封装工艺的进步,以及静态随机存取存储器(sram)、增强动态随机存取存储器(edram)工艺的进步,图形处理器(gpu)的芯片外部或gpu封装内部可以设置有越来越大扩展存储器,提供越来越大的存储容量。例如设置在gpu芯片外部的高密度sram/edram,或者gpu内部的封装内的高带宽存储器(hbm)、异质集成嵌入式动态随机存取内存(sedram)3d静态随机存取存储器(3d sram)等。gpu芯片外部或gpu封装内的存储容量可以作为第三级高速缓冲存储器(cache)。现有技术中的gpu三级缓存架构至少存在以下缺点:
2、(1)第三级高速缓冲存储器通常设置在第二级高速缓冲存储器与gpu显存的通路之间,第二级高速缓冲存储器只能从第三级高速缓冲存储器获取数据。
3、(2)第三级高速缓冲存储器的存储容量并非越大越好,当存储容量达到一定的值之后,随着存储容量的继续增大,反而会由于控制逻辑变复杂,降低gpu的数据访问速度,降低gpu性能。且受限于物理、
...【技术保护点】
1.一种GPU缓存系统,其特征在于,
2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,
3.根据权利要求2所述的系统,其特征在于,
4.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,
5.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,
6.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,
7.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,
8.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,
【技术特征摘要】
1.一种gpu缓存系统,其特征在于,
2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,
3.根据权利要求2所述的系统,其特征在于,
4.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,
<...【专利技术属性】
技术研发人员:请求不公布姓名,
申请(专利权)人:沐曦集成电路上海有限公司,
类型:发明
国别省市:
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