一种半导体刻蚀方法及其刻蚀装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体刻蚀方法及其刻蚀装置，涉及到半导体技术领域，其半导体刻蚀方法包括以下步骤：S1：清洁刻蚀区域的刻蚀产物，将待刻蚀的晶圆片放入刻蚀装置中，晶圆片上形成了掩膜层；S2：使用刻蚀装置的刻蚀设备进行刻蚀操作，交替执行刻蚀操作和上述的清洁；S3：刻蚀完成后，吹扫清除晶圆片表面剩余的掩膜层和周围的刻蚀产物，刻蚀装置将刻蚀完成的晶圆片传输到清洁区域；S4：清洁区域位于刻蚀设备的内部，清洁区域的清洁结构对晶圆片进行清理，等到晶圆片被清洁干净后，将晶圆片取出，可以有效进行刻蚀，保障刻蚀的效果，方便晶圆片刻蚀后被清理，晶圆片无需移出装置，减少半导体受到污染的可能性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体刻蚀方法及其刻蚀装置。

技术介绍

1、申请号为202110179380.x的中国专利文件，公开了一种半导体刻蚀设备和刻蚀方法，半导体刻蚀设备包括工艺腔室，所述工艺腔室的顶壁和/或侧壁上设置有激励线圈，所述工艺腔室内设置有磁控溅射组件，所述磁控溅射组件安装于所述工艺腔室的侧壁上，位于所述工艺腔室中用于承载晶片的承载件上方，所述磁控溅射组件包括基座组件和遮挡组件，所述基座组件用于固定靶材并吸引等离子轰击所述靶材，所述遮挡组件可旋转，用于选择性地遮挡所述靶材。采用上述技术方案提供的半导体刻蚀设备对晶片进行刻蚀，可以解决目前刻蚀过程中，容易产生底部缺口，使半导体器件存在较大漏电风险的问题。

2、但是该半导体刻蚀设备和刻蚀方法也存在一些问题，例如，刻蚀设备与清洁设备之间存在一定距离，容易导致半导体材料受到污染，影响半导体刻蚀成品的良率，而且空气容易渗入设备，这会影响半导体刻蚀效果。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种半导体刻蚀方法及其刻蚀装置，以解决上述背景技本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.一种半导体刻蚀装置，包括支撑底箱(1)，其特征在于，所述支撑底箱(1)的顶部螺栓连接有密封罩(4)，密封罩(4)的内部一体加工有分隔框(5)，密封罩(4)内部的清洁区螺栓连接有清洁设备(6)，密封罩(4)内部的左侧设置有刻蚀仓(13)，分隔框(5)的内部滑动连接有密封升降门(14)，支撑底箱(1)顶部的孔洞转动套接有转轴(8)，转轴(8)的底端延伸到支撑底箱(1)的内部并键连接有蜗轮(7)，转轴(8)的顶端键连接有转运盘(9)，支撑底箱(1)内部的两侧均螺栓连接有负压罐(11)，负压罐(11)与密封罩(4)连通，支撑底箱...

【技术特征摘要】

1.一种半导体刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.一种半导体刻蚀装置，包括支撑底箱(1)，其特征在于，所述支撑底箱(1)的顶部螺栓连接有密封罩(4)，密封罩(4)的内部一体加工有分隔框(5)，密封罩(4)内部的清洁区螺栓连接有清洁设备(6)，密封罩(4)内部的左侧设置有刻蚀仓(13)，分隔框(5)的内部滑动连接有密封升降门(14)，支撑底箱(1)顶部的孔洞转动套接有转轴(8)，转轴(8)的底端延伸到支撑底箱(1)的内部并键连接有蜗轮(7)，转轴(8)的顶端键连接有转运盘(9)，支撑底箱(1)内部的两侧均螺栓连接有负压罐(11)，负压罐(11)与密封罩(4)连通，支撑底箱(1)内部的底端螺栓连接有抽气筒(10)，抽气筒(10)与两个负压罐(11)连通，蜗轮(7)的后侧啮合有减速机构(2)，抽气筒(10)的活塞杆螺栓连接有往复机构(3)，往复机构(3)与减速机构(2)。

3.根据权利要求2所述的一种半导体刻蚀装置，其特征在于，所述减速机构(2)包括动力电机(21)、主动轮(22)、传动带(23)、被动轮(24)和链轮组件，动力电机(21)的底部与支撑底箱(1)内部的底端螺栓连接，动力电机(21)的输出端与主动轮(22)的轴心处键连接，主动轮(22)的内部与传动带(23)内部的底端传动连接，传动带(23)内部的顶端与被动轮(24)的内部传动连接，被动轮(24)与链轮组件键连接。

4.根据权利要求3所述的一种半导体刻蚀装置，其特征在于，所述链轮组件包括主链轮(25)、链条(26)、副链轮(27)和蜗杆(28)，主链轮(25)的右侧与被动轮(24)的左侧键连接，主链轮(25)的齿牙与链条(26)的内部啮合，链条(26)内部的顶端与副链轮(27)的齿牙啮合，副链轮(27)的轴心处与蜗杆(28)的右端键连接，蜗杆(28)的表面与蜗轮(7)的后侧啮合，蜗杆(2...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘硕，角谷昌纪，
申请(专利权)人：杭州泽达半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：