光伏电池的制备方法及光伏电池技术

本发明专利技术提供了一种光伏电池的制备方法及光伏电池，包括：对N型晶体硅基体进行制绒工艺、一次硼扩工艺、SE工艺、二次硼扩工艺、去BSG工艺和碱抛清洗工艺，得到处理后的电池片；对处理后的电池片，采用热氧化法生长二氧化硅薄膜作为隧穿氧化层，并对隧穿氧化层的厚度进行监控；对生成隧穿氧化层的电池片，通过PECVD方法沉积非晶硅，并通入PH<subgt;3</subgt;气体进行原位掺杂得到poly层；对生成poly层的电池片进行退火操作；对退火后的电池片进行表面钝化和金属化制成光伏电池。本发明专利技术能够对隧穿氧化层膜层质量进行监控，生长出厚度更匹配、致密性更高、均匀性更好的隧穿氧化层，同时有效提高钝化效应。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池，尤其是涉及一种光伏电池的制备方法及光伏电池。

技术介绍

1、现有topcon技术采用lpcvd(隧穿氧化层+poly本征层)+磷扩或pecvd三合一同时制备隧穿氧化层+poly-si+原位掺杂。然而，现有topcon技术，对于隧穿氧化层的生长厚度、致密性、均匀性，无法实时有效在线监控，无法对隧穿氧化层膜层质量进行监控；同时pecvd法制备的隧穿氧化层钝化效应较低。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种光伏电池的制备方法及光伏电池，能够对隧穿氧化层膜层质量进行监控，生长出厚度更匹配、致密性更高、均匀性更好的隧穿氧化层，同时有效提高钝化效应。

2、为了实现上述目的，本专利技术实施例采用的技术方案如下：

3、第一方面，本专利技术实施例提供了一种光伏电池的制备方法，包括：对n型晶体硅基体进行制绒工艺、一次硼扩工艺、se工艺、二次硼扩工艺、去bsg工艺和碱抛清洗工艺，得到处理后的电池片；对处理后的电池片，采用热氧化法生长二氧化硅薄膜作为隧穿氧化层，并本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光伏电池的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述N型晶体硅基体的电阻率为0.5-5Ωcm，厚度为80-200um。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述一次硼扩工艺和所述二次硼扩工艺的硼源采用三溴化硼或者三氯化硼；所述一次硼扩工艺的温度为800-950℃，时间为1-2h，方阻值为100-140Ω/sqr；所述二次硼扩工艺的温度为900-1100℃，时间为2-3h，方阻值为190-250Ω/sqr。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述热氧化法的反应温度为600-800℃，反应...

【技术特征摘要】

1.一种光伏电池的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述n型晶体硅基体的电阻率为0.5-5ωcm，厚度为80-200um。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述一次硼扩工艺和所述二次硼扩工艺的硼源采用三溴化硼或者三氯化硼；所述一次硼扩工艺的温度为800-950℃，时间为1-2h，方阻值为100-140ω/sqr；所述二次硼扩工艺的温度为900-1100℃，时间为2-3h，方阻值为190-250ω/sqr。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述热氧化法的反应温度为600-800℃，反应时间为1-1.5h；在热氧化反应前和热氧化反应后进行抽真空操作，在热氧化反应过程中通入o2。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，对所述隧穿氧化层的厚度进行监控，包括：

6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶文兰，马擎天，蒋富辉，陈曙鑫，
申请(专利权)人：环晟光伏江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：