一种真空蒸镀钙钛矿微显示器及其制备方法技术

本发明专利技术属于发光显示领域，具体公开了一种真空蒸镀钙钛矿微显示器及其制备方法，该发光器件是以钙钛矿材料作为发光活性层，通过全真空蒸镀的工艺，在CMOS基板上原位形成发光层和其他功能层，其可以实现高亮度与高分辨率，并直接作为主动发光显示应用于增强现实、虚拟现实等多种近眼显示设备上。本发明专利技术通过全真空蒸镀工艺原位制备钙钛矿微显示器，与现有技术相比，工艺可兼容现有商业化产线，仅需直接蒸镀即可实现高亮度的钙钛矿微显示器，能够有效解决现有微型图案化难以及微显示器件亮度低的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于发光显示领域，具体涉及一种真空蒸镀钙钛矿微显示器及其制备方法。

技术介绍

1、钙钛矿微显示器是一种基于新材料的显示技术，具有色纯度高、分辨率高、亮度高等特点，能够满足当下人们对高场景还原、高视觉沉浸、高图像质量的显示需求，可广泛应用于增强现实、虚拟显示、混合显示等先进显示领域，受到了广泛的关注，具备广阔的市场空间和巨大的应用前景。

2、目前制备钙钛矿发光单元的主流方法是以旋涂、刮涂等为代表的溶液法，其具有工艺简单、成本低等特点，但存在均一度差、驱动集成难等问题，而无法应用于商业化产线。因此，制备钙钛矿显示器主流溶液法方案逐渐转变成通过喷墨打印技术，在精密掩膜的辅助下直接实现各功能层及发光层打印。然而，现有的喷墨打印技术存在“咖啡环”效应、分辨率低等问题，很难实现批量化微米尺度的电致发光像素打印，而制约了钙钛矿微显示器的制备与应用。

技术实现思路

1、针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本专利技术的目的在于提供一种真空蒸镀钙钛矿微显示器及其制备方法，其特点在于微显示器由多个直接cmos上本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种真空蒸镀钙钛矿微显示器，其特征在于，包括CMOS基板以及在CMOS基板上集成的多个发光单元，所述发光单元依次包括镀覆于所述CMOS基板上的第一传输层、发光活性层、第二传输层和金属电极，所述发光活性层为钙钛矿材料。

2.根据权利要求1所述的一种真空蒸镀钙钛矿微显示器，其特征在于，所述发光单元为多色混合发光单元，所述发光单元的图案化像素为矩形、圆形或星形，所述第一传输层、发光活性层、第二传输层和金属电极的厚度分别为45-60nm、20-60nm、23-25nm和15-60nm。

3.根据权利要求1所述的一种真空蒸镀钙钛矿微显示器，其特征在于，所述CMOS基板还...

【技术特征摘要】

1.一种真空蒸镀钙钛矿微显示器，其特征在于，包括cmos基板以及在cmos基板上集成的多个发光单元，所述发光单元依次包括镀覆于所述cmos基板上的第一传输层、发光活性层、第二传输层和金属电极，所述发光活性层为钙钛矿材料。

2.根据权利要求1所述的一种真空蒸镀钙钛矿微显示器，其特征在于，所述发光单元为多色混合发光单元，所述发光单元的图案化像素为矩形、圆形或星形，所述第一传输层、发光活性层、第二传输层和金属电极的厚度分别为45-60nm、20-60nm、23-25nm和15-60nm。

3.根据权利要求1所述的一种真空蒸镀钙钛矿微显示器，其特征在于，所述cmos基板还包括导电基底，所述导电基底采用金属氧化物，所述金属氧化物为氧化锌、氧化锡或氧化铟锡，所述导电基底还包括用于改变所述导电基底功函数的修饰层。

4.根据权利要求1所述的一种真空蒸镀钙钛矿微显示器，其特征在于，所述第一传输层和第二传输层采用金属化合物和非金属化合物共同蒸镀而成，所述非金属化合物为芳香族叔胺类衍生物、三芳胺类化合物、联苯二胺类三芳胺衍生物或咔唑衍生物，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗家俊，张翔，唐江，沈紫曦，欧剑峰，谢弘毅，陈奥越，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：