【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
相关申请的交叉引用本申请要求于2022年10月18日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2022-0134345号和于2023年10月16日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2023-0138056号的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。本专利技术涉及全息记录介质、用于形成光聚合物层的组合物和光学元件。
技术介绍
1、全息记录介质通过经由曝光过程改变介质中全息记录层的折射率来记录信息，读取由此记录的介质中折射率的变化，并再现信息。
2、在这方面，可以使用光聚合物组合物来制备全息图。光聚合物通过光反应性单体的光聚合可以容易地将光干涉图案存储为全息图。因此，光聚合物可以用于各种领域，例如智能设备如移动设备、可佩戴显示部件、车辆制品(例如平视显示器)、全息指纹识别系统、光学透镜、反射镜、偏转镜、滤波器、漫射屏、衍射元件、光导、波导、具有投影屏和/或掩模功能的全息光学元件、光学存储系统和光扩散板的介质、光波长复用器、反射型、透射型滤色器等。
3、具体地，用于全息图产生的光聚合物组合物包含聚合物基体、光反应...
【技术保护点】
1.一种全息记录介质，包括基底；粘合剂保护层；和光聚合物层，
2.根据权利要求1所述的全息记录介质，其中：
3.根据权利要求1所述的全息记录介质，
4.根据权利要求3所述的全息记录介质，其中：
5.根据权利要求3所述的全息记录介质，其中：
6.根据权利要求1所述的全息记录介质，其中：
7.根据权利要求1所述的全息记录介质，其中：
8.根据权利要求7所述的全息记录介质，其中：
9.根据权利要求7所述的全息记录介质，其中：
10.一种光学元件，包括根据权利要求1所述
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种全息记录介质，包括基底；粘合剂保护层；和光聚合物层，
2.根据权利要求1所述的全息记录介质，其中：
3.根据权利要求1所述的全息记录介质，
4.根据权利要求3所述的全息记录介质，其中：
5.根据权利要求3所述的全息记录介质，其中：
6.根据权利要求1所述的全息记录介质，其中：
7.根据权利要求1所述的全息记录介质，其中：
8.根据权利要求7所述的全息记录介质，其中：...
【专利技术属性】
技术研发人员：李娫熙，李汉娜，金珉秀，李仁圭，洪喆奭，郑顺和，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：
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