【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及电子装置，更具体地，涉及存储器装置及其操作方法。
技术介绍
1、存储器系统是在主机装置的控制下存储数据的装置。存储器系统可以包括用于存储数据的存储器装置和用于控制存储器装置的存储器控制器。存储器装置被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。
2、非易失性存储器装置是即使供电中断数据也不会消失的存储器装置。非易失性存储器装置可以包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除rom(eerom)、闪存等。
3、编程操作是增加非易失性存储器装置中包括的存储器单元的阈值电压的操作。非易失性存储器装置可以向公共源极线施加公共源极线电压，使得存储器单元当中的阈值电压不增加的编程禁止单元的沟道电位在编程操作中不会变低。
技术实现思路
1、根据本公开的一方面，可以提供一种存储器装置，其包括：存储器单元，其连接在公共源极线与位线之间；源极线驱动器，其被配置为向公共源极线施加公共源极线电压，然后使公共源极线浮置；以及编程操...
【技术保护点】
1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器在执行所述编程操作中包括的编程电压施加操作的同时，控制所述源极线驱动器以使所述公共源极线浮置。
3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述编程电压施加操作包括向连接到所述存储器单元的字线施加编程电压的编程脉冲时段以及使所述字线的电压放电的放电时段。
4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器包括执行状态信息储存器，所述执行状态信息储存器存储表示所述编程操作的执行程度的执行状态信息。
5.根据权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器在执行所述编程操作中包括的编程电压施加操作的同时，控制所述源极线驱动器以使所述公共源极线浮置。
3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述编程电压施加操作包括向连接到所述存储器单元的字线施加编程电压的编程脉冲时段以及使所述字线的电压放电的放电时段。
4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器包括执行状态信息储存器，所述执行状态信息储存器存储表示所述编程操作的执行程度的执行状态信息。
5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述执行状态信息包括多个编程循环的执行次数、所述存储器单元当中被编程到目标编程状态的存储器单元的数量、向连接到所述存储器单元的字线施加的编程电压的幅度、以及处于执行通过/失败检查操作的编程状态的阈值电压的幅度中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述浮置时段的长度基于所述多个编程循环的执行次数而变短。
7.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器基于通过将所述执行状态信息与参考值进行比较而获得的结果来确定所述浮置时段的长度。
8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，当所述执行状态信息小于所述参考值时，所述编程操作控制器将所述浮置时段的长度确定为第一长度，并且当所述执行状态信息等于或大于所述参考值时，所述编程操作控制器将所述浮置时段的长度确定为比所述第一长度短的第二长度。
9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器基于连接到所述存储器单元的字线的位置来控制所述源极线驱动器以改变所述浮置时段的长度。
10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，随着所述字线越邻近于漏极选择线，所述浮置时段的长度变得越长。
11.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，随着所述字线越邻近于源极选择线，所述浮置时段的长度变得越短。
12.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，当在执行所述编程操作的同时输入了要存储于在所述存储器单元之后下一个...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑载烨，郭东勋，郑赞熙，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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