光检测装置和电子设备制造方法及图纸

技术编号:41804558 阅读:27 留言:0更新日期:2024-06-24 20:25
提供了一种用于实现光谱分离的技术。光检测装置包括其中设置有光电转换部的半导体层和被设置在半导体层的光入射面侧的光学滤波器层。光学滤波器层包括分别针对各个像素设置的第一滤波器部和第二滤波器部。第一滤波器部和第二滤波器部中的每个包括:设置在半导体层的光入射面侧的第一金属膜;具有不同的折射率并且在半导体层的厚度方向上并排配置在第一金属膜的与半导体层所在的一侧相反的一侧的第一介电膜和第二介电膜;和设置在第一介电膜和第二介电膜的与第一金属膜所在的一侧相反的一侧的第二金属膜。第一介电膜与第二介电膜的厚度比在第一滤波器部和第二滤波器部中是不同的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本技术(根据本公开的技术)涉及一种光检测装置,并且特别地涉及一种适用于具有光学滤波器层的光检测装置和设置有该光检测装置的电子设备的技术。


技术介绍

1、诸如固态摄像装置和测距装置等光检测装置包括将入射光引导至半导体层中的光电转换区域的光学滤波器层。专利文献1公开了一种滤色器层,其包括由添加有颜料的热固性树脂构成的滤波器部。

2、[引文列表]

3、[专利文献]

4、[专利文献1]:jp 2021-150325a


技术实现思路

1、[技术问题]

2、然而,在由添加有颜料的树脂构成的滤色器层中,透射率由材料的特性决定,因此难以实现将光划分成多种波段的光谱分离。

3、本技术的目的是提供一种能够实现光谱分离的技术。

4、[问题的解决方案]

5、(1)根据本技术的一个方面的光检测装置包括:

6、半导体层,其中针对每个像素设置有光电转换部;和

7、光学滤波器层,其被设置在所述半导体层的光入射面侧,其中

8本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光检测装置,包括:

2.根据权利要求1所述的光检测装置,其中所述第一介电膜和所述第二介电的总厚度在所述第一滤波器部和所述第二滤波器部中是相同的。

3.根据权利要求1所述的光检测装置,其中所述第一金属膜、所述第一介电膜、所述第二介电膜和所述第二金属膜中的每个被设置为跨越相邻的所述像素。

4.根据权利要求1所述的光检测装置,其中所述第一介电膜被设置为比所述第二介电膜更靠近第一金属膜侧,并且具有比所述第二介电膜更高的折射率。

5.根据权利要求4所述的光检测装置,其中所述第一介电膜的第二介电膜侧的表层部在相邻的所述像素之间具有台阶,并且...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种光检测装置,包括:

2.根据权利要求1所述的光检测装置,其中所述第一介电膜和所述第二介电的总厚度在所述第一滤波器部和所述第二滤波器部中是相同的。

3.根据权利要求1所述的光检测装置,其中所述第一金属膜、所述第一介电膜、所述第二介电膜和所述第二金属膜中的每个被设置为跨越相邻的所述像素。

4.根据权利要求1所述的光检测装置,其中所述第一介电膜被设置为比所述第二介电膜更靠近第一金属膜侧,并且具有比所述第二介电膜更高的折射率。

5.根据权利要求4所述的光检测装置,其中所述第一介电膜的第二介电膜侧的表层部在相邻的所述像素之间具有台阶,并且

6.根据权利要求1所述的光检测装置,其中所述第一介电膜被设置为比所述第二介电膜更靠近第二金属膜侧,并且具有比所述第二介电膜更高的折射率。

7.根据权利要求6所述的光检测装置,其中所述第二介电膜的第一介电膜侧的表层部在相邻的所述像素之间具有台阶,并且

8.根据权利要求1所述的光检测装置,其中所述第一介电膜是包含氧化钛、氧化钽、氮化硅和氧化铪中的任一者的膜,并且

9.根据权利要求1所述的光检测装置,其中所述第一金属膜比所述第二金属膜更厚。

10.根据权利要求1所述的光检测装置,其中所述第一金属膜和所述第二金属膜中的每个被设置为跨越相邻的所述像素。

11.根据权利要求1所述的光检测装置,其中所述第一金属膜和所述第二金属膜中的每个是包含铝、银、铜、金、铬和钨中的任一者的膜。

12.根据权利要求1所述的光检测装置,还包括:

13.根据权利要求1所述的光检测装置,其中所述光学滤波器...

【专利技术属性】
技术研发人员:横地界斗高瀬博章
申请(专利权)人:索尼半导体解决方案公司
类型:发明
国别省市:

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