一种用于真空热处理及掺杂改性的装置制造方法及图纸

本技术公开了一种用于材料器件真空热处理及掺杂改性的装置，包括：装置主体，内部设置有用于放置真空热处理材料或掺杂改性材料的坩埚主体，所述装置主体内部设置有两组加热结构用于加热坩埚主体两端，实现恒温或高低温温差；真空封管机，设置在装置主体上用于所述坩埚主体内部真空化处理和所述坩埚主体一端密封；定位结构，设置在装置主体内，用于坩埚主体在装置主体内定位放置。本技术能够一体化完成坩埚主体的内部真空密封处理，且在坩埚主体两端进行升温加温操作时，既能够利用坩埚主体两端升温至同一温度对坩埚主体内部材料进行真空热处理操作，又能够利用坩埚主体两端升温至不同温度对坩埚主体内材料进行掺杂改性操作。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及材料器件处理，具体涉及一种用于真空热处理及掺杂改性的装置。

技术介绍

1、在半导体材料的制备生产时，常常需要针对特有的芯片材料进行真空热处理操作和掺杂改性操作，其中真空热处理主要是提高材料的机械性能，力学性能，物理性能，化学性能，掺杂改性主要是对半导体材料中人为掺入替位式掺杂，能够改善、提升和优化材料的物理性能、化学性能和电学性能，已获取具有目标性能的半导体材料。

2、例如作为半导体材料的本征硅，由于本征硅的内部没有被任何杂质掺杂，因此其自由电子数和空穴数是相等的，在室温条件下本征硅的导电性一般很差，与之相对的，n型硅是通过向纯硅中掺杂五价元素(如磷、砷等)来制得的，其中磷、砷等五价元素的原子替代了硅原子的位置，由于硅是4价，会多出来一个电子，而多出来的电子就可以自由移动而导致n型硅带负电，其导电性则大大获得提升。

3、为此，本申请特提出一种用于真空热处理及掺杂改性的装置，既能够进行半导体材料的真空热处理操作，又能够适应进行半导体材料的掺杂改性操作。

4、且上述内容仅用于辅助理解本申请的技术方案，并不代表承认上本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于真空热处理及掺杂改性的装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的用于真空热处理及掺杂改性的装置，其特征在于，所述装置主体(3)由相互铰接的下壳(31)和上盖(32)组成，所述下壳(31)和上盖(32)之间还通过锁紧件(33)连接，所述下壳(31)上开设有用于容纳坩埚主体(2)的放置槽(311)，所述放置槽(311)内设置有用于承托放置坩埚主体(2)的多个放置架(312)。

3.如权利要求2所述的用于真空热处理及掺杂改性的装置，其特征在于，所述下壳(31)和上盖(32)上均设置有装置主体(3)闭合状态下用于密封放置槽(311)内部的密封垫(34)。...

【技术特征摘要】

1.一种用于真空热处理及掺杂改性的装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的用于真空热处理及掺杂改性的装置，其特征在于，所述装置主体(3)由相互铰接的下壳(31)和上盖(32)组成，所述下壳(31)和上盖(32)之间还通过锁紧件(33)连接，所述下壳(31)上开设有用于容纳坩埚主体(2)的放置槽(311)，所述放置槽(311)内设置有用于承托放置坩埚主体(2)的多个放置架(312)。

3.如权利要求2所述的用于真空热处理及掺杂改性的装置，其特征在于，所述下壳(31)和上盖(32)上均设置有装置主体(3)闭合状态下用于密封放置槽(311)内部的密封垫(34)。

4.如权利要求3所述的用于真空热处理及掺杂改性的装置，其特征在于，所述下壳(31)和上盖(32)上均设置有用于放置槽(311)与外部连通的密封槽孔(35)，所述坩埚主体(2)穿过密封槽孔(35)与真空封管机(1)内部连接，装置主体(3)闭合状态下所述密封槽孔(35)用于放置槽(311)内部密封。

5.如权利要求2所述的用于真空热处理及掺杂改性的装置，其特征在于，所述加热结构(36)设置在下壳(31)上用于放置槽(311)内的坩埚主体(2)两端升温，所述加热结构(36)包括设置在放置槽(311)内且与坩埚主体(2)接触的电加热结构(362)和设置在下壳(31)外部用于驱动电加热结构(362)运行的控制器(361)。

6.如权利要求2所述的用于真空热处理及掺杂改性的装置，其特征在于，所述下壳(31)上设置有用于与放置槽(311)连接的通气结构(37)，所述通气结构(37)包括埋设...

【专利技术属性】
技术研发人员：王瑞，莫琴，
申请(专利权)人：武汉是维光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：