【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于辐射的位置分辨检测的辐射检测器。
技术介绍
1、现有技术的混合像素检测器(hpd)包括像素化传感器瓦片，所述像素化传感器瓦片逐像素地连接到读出芯片。在现有技术的hpds中，通常使用半导体作为传感器瓦片的传感器材料。更具体地，传感器瓦片的顶侧包括连续电极，而传感器瓦片的底侧包括与传感器材料接触并彼此隔离的金属化层和/或导电层形式的分离电极。这种金属化有助于传感器像素。传感器像素连接到读出芯片的指定读出电路。每个金属化借助于通过凸块下金属化(ubm)工艺制造的凸块接合连接到指定读出电路的触点。这种触点也可以称为读出芯片的电极。
2、期望检测和测量的电离辐射与传感器材料相互作用并在传感器材料中沉积能量。沉积的能量转换成传感器材料中的电子-空穴对。在传感器材料中，通过在传感器的顶侧电极上施加电压并将虚拟接地设置到指定读出电路的第一放大级的输入来形成电场。因此在指定读出电路中处理在传感器像素中的一个中收集的电荷。
3、现有技术的混合像素检测器具有通常具有方形形状的传感器像素。该设计适用于许多应用，例如...
【技术保护点】
1.一种用于辐射的位置分辨检测的辐射检测器，其包括
2.根据权利要求1所述的辐射检测器，
3.根据权利要求1或2所述的辐射检测器，
4.根据权利要求1或2所述的辐射检测器，
5.根据任一项权利要求所述的辐射检测器，
6.根据任一项权利要求所述的辐射检测器，
7.根据任一项权利要求所述的辐射检测器，
8.根据任一项权利要求所述的辐射检测器，
9.根据权利要求8所述的辐射检测器，
10.根据权利要求8或9所述的辐射检测器，
11.根据权利要求9或10所述
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于辐射的位置分辨检测的辐射检测器，其包括
2.根据权利要求1所述的辐射检测器，
3.根据权利要求1或2所述的辐射检测器，
4.根据权利要求1或2所述的辐射检测器，
5.根据任一项权利要求所述的辐射检测器，
6.根据任一项权利要求所述的辐射检测器，
7.根据任一项权利要求所述的辐射检测器，
8.根据任一项权利要求所述的辐射检测器，
9.根据权利要求8所述的辐射检测器，
10.根据权利要求8或9所述的辐射检测器，
【专利技术属性】
技术研发人员：M·里西，T·多纳特，C·迪施，
申请(专利权)人：德克特里斯股份公司，
类型：发明
国别省市：
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