一种高矫顽力的R-T-B永磁体及其制备方法和应用技术

技术编号:41799783 阅读:44 留言:0更新日期:2024-06-24 20:22
一种高矫顽力的R‑T‑B永磁体及其制备方法和应用。本发明专利技术的R‑T‑B永磁体的制备方法包括:(1)制备得到复合磁粉:将包材颗粒包覆在母材粉末颗粒的表面得到所述复合磁粉;(2)将步骤(1)中的复合磁粉分别经过压型处理、热处理,任选的进行扩散处理,制备得到所述R‑T‑B永磁体。本发明专利技术通过在母材粉末颗粒表层均匀包覆低熔点晶界合金,有效的降低了晶界相熔点,降低了永磁体烧结温度,大幅降低了永磁体生产成本;同时可以使磁体内主相被晶界相均匀包裹,有效隔绝主相晶粒间的磁交换耦合作用,降低晶界缺陷,从而显著提升永磁体的矫顽力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于稀土永磁材料制备,尤其涉及一种高矫顽力的r-fe-b永磁体及其制备方法和应用。


技术介绍

1、烧结钕铁硼作为第三代稀土永磁材料,主要由稀土prnd、铁、硼等元素组成,因其具有优异的磁性能及高性价比,而被广泛应用于各类稀土永磁电机、智能消费电子产品、医疗器械等领域。随着低碳节能经济和高新技术的快速发展,稀土永磁体的下游产品逐渐向低成本、设备小型化等方向发展,要求烧结钕铁硼磁体具备高性能、高磁通量、重稀土使用量低等特点。目前烧结钕铁硼磁体性能提升的方式有粒度细化、晶界扩散、晶界添加重稀土元素等工艺,能够有效的降低重稀土元素使用量,同时具备高磁性能,实现高性价比磁体制备。

2、但上述制备烧结钕铁硼的工艺中,依然存在以下问题:一是粉末流动性差导致的毛坯成型性降低;粉末颗粒表面存在的不规则棱角,降低了粉末的流动性,导致粉末填充不均匀,同时阻碍晶粒在磁场取向时的偏转,降低取向度,难以制备高剩磁磁体。二是晶界相分布不连续;相邻主相晶粒间缺少晶界相时,晶界处缺陷增多,反磁化畴易于形核,磁体将难以获得高矫顽力。此外,晶界相作为扩散的主要通道,晶界相本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种R-T-B永磁体,其特征在于,所述R-T-B永磁体至少包括晶界相和主相晶粒;

2.权利要求1所述的R-T-B永磁体的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述复合磁粉包括核壳结构,其中核为所述母材粉末颗粒,壳层包括所述包材颗粒;所述壳层通过所述包材颗粒在所述母材粉末颗粒的表面吸附后发生形变得到;

4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述母材粉末颗粒的平均粒径为1-10μm;

5.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述包材颗粒的组分至少包括稀土元素R’;...

【技术特征摘要】

1.一种r-t-b永磁体,其特征在于,所述r-t-b永磁体至少包括晶界相和主相晶粒;

2.权利要求1所述的r-t-b永磁体的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述复合磁粉包括核壳结构,其中核为所述母材粉末颗粒,壳层包括所述包材颗粒;所述壳层通过所述包材颗粒在所述母材粉末颗粒的表面吸附后发生形变得到;

4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述母材粉末颗粒的平均粒径为1-10μm;

5.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述包材颗粒的组分至少包括稀土元素r’;r’选自pr、nd、tb、dy、ho、gd、ce、y、la中的一种或多种;

6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述包材颗粒的组分包括r’和m1,其中,r’的占比为80wt%-99...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐兆浦王聪姜云瑛宿云婷任蒿楠
申请(专利权)人:南通正海磁材有限公司
类型:发明
国别省市:

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