【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及纳米结构，尤其涉及半金属纳米带的制作方法。
技术介绍
1、近些年来，由于石墨烯的发现，石墨烯纳米带成为自旋电子器件中的重要应用材料，石墨烯纳米带根据边缘结构的改变、化学掺杂、几何变形、结构缺陷以及外部电场和磁场的调控等方法可显示出半金属性质。
2、经检索，申请号cn102616768b的中国专利，公开了石墨烯纳米带制作方法，其目的是缩短制程时间，使石墨烯纳米带能够进行实现量产化；
3、申请号cn114735680a的中国专利，公开了一种石墨烯纳米带及其制备方法，其通过通过合成工艺的控制实现对分子量的调控，对具有明确分子结构的石墨烯纳米带进行带隙值的调控。
4、然而，对于石墨烯纳米带来说，如何实现其半金属性质，使纳米带成为半金属纳米带，从而在自旋滤波器、自旋阀、隧道结等自旋电子器件中实现作用，因此，亟需一种半金属纳米带的制作方法。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺陷，而提出的半金属纳米带的制作方法。
...
【技术保护点】
1.一种半金属纳米带的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的半金属纳米带的制作方法，其特征在于，在步骤S1中，石墨烯纳米带的带隙为1.17eV。
【技术特征摘要】
1.一种半金属纳米带的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。