【技术实现步骤摘要】
本技术属于测试电路，更具体地，本技术涉及一种用于桥式功率模块反偏测试的单电源电路。
技术介绍
1、把多个功率器件如金属-氧化物半导体场效应晶体管mosfet，功率二极管，以及绝缘栅双极型晶体管igbt(insulated gate bipolar transistor)封装在一个模块中，成为功率模块。其中以桥式结构最为普遍。如两个单元的功率器件构成上下桥的半桥模块，四个单元功率器件构成的全桥模块，以及六个单元功率器件构成的三相全桥模块等。为了品质控制，在出厂前要进行一定时间的老化试验。其中一定温度，湿度条件下的反偏试验是其中最主要的老化试验。反偏试验是在每个功率器件截止的状态下施加一定的电压，通过检测相应功率器件的漏电流来检测该功率器件的状态，如果漏电流超过限制，则认为该器件失效，剔除失效器件。现有的上下桥同时老化的方案中，通常采用两个高压电源，一个高压电源用于上桥臂的反偏测试，另一个高压电源用于下桥臂的反偏试验，两个高压电源的反偏试验该方案大幅度增加了测试设备的成本。
技术实现思路
1、...
【技术保护点】
1.一种用于桥式功率模块反偏测试的单电源电路，其特征在于，所述电路包括：一个高压电源，负高压生成电路及开关器件；
2.如权利要求1所述用于桥式功率模块反偏测试的单电源电路，其特征在于，开关器件为三极管或IGBT。
3.如权利要求2所述用于桥式功率模块反偏测试的单电源电路，其特征在于，开关器件的集电极连接电阻，发射极连接第一二极管的阴极连接，且接地。
4.如权利要求3所述用于桥式功率模块反偏测试的单电源电路，其特征在于，开关器件为MOSFET。
【技术特征摘要】
1.一种用于桥式功率模块反偏测试的单电源电路，其特征在于，所述电路包括：一个高压电源，负高压生成电路及开关器件；
2.如权利要求1所述用于桥式功率模块反偏测试的单电源电路，其特征在于，开关器件为三极管或igbt。
3....
【专利技术属性】
技术研发人员：李冬黎，倪炜江，李倩，
申请(专利权)人：安徽芯塔电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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