直插式双二极管小电流整流模块制造技术

本实用新型专利技术公开了一种直插式双二极管小电流整流模块，包括用绝缘材料制成的塑封体、金属引线框架和半导体二极管芯片，所述半导体二极管芯片设置于塑封体内部，且处于同一平面内；所述金属引线框架一部分设置于塑封体内部，一部分设于塑封体外面，该金属引线框包含若干个单元，每个单元包括３个平面焊盘和相对应的３个电极端子；半导体二极管芯片的一极平铺设置连接于金属引线框架上其中一个或两个焊盘，另一极与另外一个焊盘相连设置；三个电极端子从所述塑封体的中部平直伸出且不作任何弯折，同时三个电极端子的底端位于同一平面上；本实用新型专利技术的有益效果是不仅适用于小电流整流电路设计，而且适合于高密度灵活安装。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种直插式双二极管小电流整流模块。
技术介绍
目前实现小电流(《1A)整流的方法一般是全波整流和半波整流。全波整流对电源的利用率最高，故为应用之首选。实现全波整流的方法有利用四个整流二极管在PCB板上组成全整流电路实现整流变换。由于焊点多、电路复杂，不利于微型化；另一种方法是使用一个微型单相全波桥式整流器直接实现全波整流。这种方法成本较高，且缺乏电路设计的灵活性。本技术直插式双二极管小电流整流模块是将两只整流二极管的芯片同向串联、共阴或共阳连接，并采用现有的类似小功率三极管的封装形式引出三个端子、以此来实现整流功能。由于两支模块可以实现全波整流，故也称为半桥。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种适用于小电流整流电路设计且适合于高密度灵活安装的直插式双二极管小电流整流模块。 为达到上述目的，本技术的技术方案是 —种直插式双二极管小电流整流模块，包括用绝缘材料制成的塑封体、金属引线框架和半导体二极管芯片，其特征在于所述半导体二极管芯片设置于塑封体内部，且处于同一平面内；所述金属引线框架一部分设置于塑封体内部，一部分设于塑封体外面，该金属弓I线框包含若干个单元，每个单元包括3个平面焊盘和相对应的3个电极端子；所述半导体二极管芯片的一极平铺设置连接于金属引线框架上其中一个或两个焊盘，另一极与另外一个焊盘相连设置；所述三个电极端子从所述塑封体的中部平直伸出且不作任何弯折，同时三个电极端子的底端位于同一平面上。 进一步，平面焊盘的形状可以是圆台、方台、矩形、菱形中的任意一种。 进一步，半导体二极管芯片可以是玻璃钝化普通整流芯片、玻璃钝化快恢复整流芯片、玻璃钝化瞬变电压抑制二极管芯片、玻璃钝化稳压二极管芯片或者肖特基整流芯片中的任意一种。 进一步，半导体二极管芯片与所述金属引线框的连接方式可以为以下形式之一 a)共阴连接两个半导体二极管芯片的阴极与同一电极端子连接，阳极分别与另外两个电极端子连接； b)共阳连接两个半导体二极管芯片的阳极与同一电极端子连接，阴极分别与另外两个电极端子连接； c)阴阳连接一个半导体二极管芯片的阳极和另一个半导体二极管芯片的阴极与同一电极端子连接，半导体二极管芯片的另一极分别与另外两个电极端子连接。 本技术的有益效果是不仅适用于小电流整流电路设计，而且适合于高密度灵活安装。附图说明图1是本技术一种直插式双二极管小电流整流模块的电路图； 图2是本技术实施例的几种外形示意图； 图3是本技术实施例的几种内部结构示意图。具体实施方式以下结合附图及实施例对本技术作进一步说明。 参考附图1至附图3，本实施新型的一种优选实施例，包括用绝缘材料制成的塑封体1、金属引线框架2、3和半导体二极管芯片5a、5b，金属引线框架2、3的一部分设置于塑封体1内部， 一部分设于塑封体1外面，金属引线框架2、3包含若干个单元，每个单元包括3个平面焊盘和相对应的3个电极端子；该三个电极端子从所述塑封体1的中部平直伸出且不作任何弯折，同时三个电极端子的底端位于同一平面上，该平面焊盘的形状可以是圆台、方台、矩形、菱形中的任意一种。 另外，半导体二极管芯片5a、5b设置于所述塑封体1之中，且处于同一平面内，半导体二极管芯片5a、5b的一极平铺设置连接于金属引线框架2、3上其中一个或两个焊盘，另一极与另外一个焊盘相连设置；半导体二极管芯片5a、5b可以是玻璃钝化普通整流芯片、玻璃钝化快恢复整流芯片、玻璃钝化瞬变电压抑制二极管芯片、玻璃钝化稳压二极管芯片或者肖特基整流芯片中的任意一种。 半导体二极管5a、5b芯片与金属引线框2、3的连接方式可以为以下形式之一 a)共阴连接两个半导体二极管芯片5a、5b的阴极与同一电极端子连接，阳极分别与另外两个电极端子连接； b)共阳连接两个半导体二极管芯片5a、5b的阳极与同一电极端子连接，阴极分别与另外两个电极端子连接； c)阴阳连接一个半导体二极管芯片5a、5b的阳极和另一个半导体二极管芯片5a、5b的阴极与同一电极端子连接，半导体二极管芯片5a、5b的另一极分别与另外两个电极端子连接。 如图2、图3(a)所示，本技术的一种直插式双二极管小电流整流模块通过共晶焊或点胶钎焊技术，将半导体芯片5a、5b的一个面与金属引线框架3的焊盘连接，再利用引线键合技术，通过金属引线4将半导体芯片5a、5b的另一个面与金属引线框架2的焊盘连接，半导体芯片5a、5b平铺设置于金属引线框架3的焊盘上，再通过金属引线4与金属引线框架2的焊盘相连。 最后，将焊接在一起的半导体芯片5a、5b和金属引线框架3、金属引线框架2经注塑成型、切筋就形成了本技术的最终外形。权利要求一种直插式双二极管小电流整流模块，包括用绝缘材料制成的塑封体、金属引线框架和半导体二极管芯片，其特征在于所述半导体二极管芯片设置于塑封体内部，且处于同一平面内；所述金属引线框架一部分设置于塑封体内部，一部分设于塑封体外面，该金属引线框包含若干个单元，每个单元包括3个平面焊盘和相对应的3个电极端子；所述半导体二极管芯片的一极平铺设置连接于金属引线框架上其中一个或两个焊盘，另一极与另外一个焊盘相连设置；所述三个电极端子从所述塑封体的中部平直伸出且不作任何弯折，同时三个电极端子的底端位于同一平面上。2. 根据权利要求1所述直插式双二极管小电流整流模块，其特征在于所述平面焊盘的形状可以是圆台、方台、矩形、菱形中的任意一种。3. 根据权利要求1所述直插式双二极管小电流整流模块，其特征在于所述半导体二极管芯片可以是玻璃钝化普通整流芯片、玻璃钝化快恢复整流芯片、玻璃钝化瞬变电压抑制二极管芯片、玻璃钝化稳压二极管芯片或者肖特基整流芯片中的任意一种。4. 根据权利要求1至3中的任一种所述直插式双二极管小电流整流模块，其特征在于所述半导体二极管芯片与所述金属引线框的连接方式可以为以下形式之一a) 共阴连接两个半导体二极管芯片的阴极与同一电极端子连接，阳极分别与另外两个电极端子连接；b) 共阳连接两个半导体二极管芯片的阳极与同一电极端子连接，阴极分别与另外两个电极端子连接；C)阴阳连接一个半导体二极管芯片的阳极和另一个半导体二极管芯片的阴极与同一电极端子连接，半导体二极管芯片的另一极分别与另外两个电极端子连接。专利摘要本技术公开了一种直插式双二极管小电流整流模块，包括用绝缘材料制成的塑封体、金属引线框架和半导体二极管芯片，所述半导体二极管芯片设置于塑封体内部，且处于同一平面内；所述金属引线框架一部分设置于塑封体内部，一部分设于塑封体外面，该金属引线框包含若干个单元，每个单元包括3个平面焊盘和相对应的3个电极端子；半导体二极管芯片的一极平铺设置连接于金属引线框架上其中一个或两个焊盘，另一极与另外一个焊盘相连设置；三个电极端子从所述塑封体的中部平直伸出且不作任何弯折，同时三个电极端子的底端位于同一平面上；本技术的有益效果是不仅适用于小电流整流电路设计，而且适合于高密度灵活安装。文档编号H02M7/04GK201523329SQ200920198619公开日2010年7月7日 申请日期2009年11月2日 优先权日2009年11月2日专利技术者傅剑锋, 叶勇, 谢晓东 申请人:绍兴科盛电子有限公本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种直插式双二极管小电流整流模块，包括用绝缘材料制成的塑封体、金属引线框架和半导体二极管芯片，其特征在于所述半导体二极管芯片设置于塑封体内部，且处于同一平面内；所述金属引线框架一部分设置于塑封体内部，一部分设于塑封体外面，该金属引线框包含若干个单元，每个单元包括３个平面焊盘和相对应的３个电极端子；所述半导体二极管芯片的一极平铺设置连接于金属引线框架上其中一个或两个焊盘，另一极与另外一个焊盘相连设置；所述三个电极端子从所述塑封体的中部平直伸出且不作任何弯折，同时三个电极端子的底端位于同一平面上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢晓东，傅剑锋，叶勇，
申请(专利权)人：绍兴科盛电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：33[中国|浙江]