一种薄膜声表面波谐振器及滤波器制造技术

本申请公开了一种薄膜声表面波谐振器及滤波器，涉及半导体器件领域，通过在薄膜声表面波谐振器的至少一层介质层中插入至少一层中间层可提高插有中间层的介质层的物理强度，对于较薄的介质层而言，有较好的避免破裂的效果；而对于相对厚度较厚的介质层而言，该中间层可以帮助材料生长或者溅射过程提高平整度和表面光滑度，使较厚的介质层在形成中能够避免较大的粗糙度。并且插入的每一层中间层的厚度小于0.2λ，因此对于主声学模式的传播不带来直接影响，但是对于其他杂模来说，由于声传播路径的差异，会一定程度上在中间层位置发生反射，以破坏其谐振条件以减少能量的耗散，将能量进一步限制在反射区域内，因此可以进一步提高谐振器的Q值。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体器件，尤其涉及一种薄膜声表面波谐振器及滤波器。

技术介绍

1、saw（surface acoustic wave，声表面波）谐振器是声表面波谐振器的简称，是一种利用其压电效应和声表面波传播的物理特性而制成的一种滤波专用器件，广泛应用于各种各样的领域中，例如射频领域。其中声表面波是一种能量集中在表面附近的弹性波。

2、在目前的声表面波产品设计中，tf-saw谐振器（薄膜声表面波谐振器）是近年来得到广泛应用的一种声表面波谐振器设计结构，其基底上设置有压电薄膜层，压电薄膜层背离基底的一侧设置有叉指电极。需要说明的是，tf-saw谐振器除此以上基本特征以外，还可以包含在压电薄膜层下方、基底上方的插入层、保护层、调节层、温度补偿层、变速层等等不同的任意数量的介质层，形成堆叠层（stack）结构，从而实现多种不同的技术效果。

3、对于tf-saw谐振器而言，基底上方的堆叠层结构的加工工艺和质量是一个需要解决的技术问题，随着层数的增多和不同种材料的应用，以及每层介质层较薄（通常每层介质层的厚度在几十纳米至几百纳米之间）的实际情况，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种薄膜声表面波谐振器，其特征在于，所述薄膜声表面波谐振器包括：

2.根据权利要求1所述的薄膜声表面波谐振器，其特征在于，所述中间层的材料为氮化硅材料、氮化铝材料或多晶硅材料。

3.根据权利要求1所述的薄膜声表面波谐振器，其特征在于，所述至少一层介质层包括温度补偿层。

4.根据权利要求1所述的薄膜声表面波谐振器，其特征在于，所述至少一层介质层包括：在所述第一方向上层叠设置的温度补偿层和第一反射层；

5.根据权利要求4所述的薄膜声表面波谐振器，其特征在于，所述温度补偿层中设置有所述中间层和/或所述第一反射层中设置有所述中间层。

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【技术特征摘要】

1.一种薄膜声表面波谐振器，其特征在于，所述薄膜声表面波谐振器包括：

2.根据权利要求1所述的薄膜声表面波谐振器，其特征在于，所述中间层的材料为氮化硅材料、氮化铝材料或多晶硅材料。

3.根据权利要求1所述的薄膜声表面波谐振器，其特征在于，所述至少一层介质层包括温度补偿层。

4.根据权利要求1所述的薄膜声表面波谐振器，其特征在于，所述至少一层介质层包括：在所述第一方向上层叠设置的温度补偿层和第一反射层；

5.根据权利要求4所述的薄膜声表面波谐振器，其特征在于，所述温度补偿层中设置有所述中间层和/或所述第一反射层中设置有所述中间层。

6.根据权利要求1所述的薄膜声表面波谐振器，其特征在于，所述至少一层介质层包括：在所述第一方向上层叠设置的温度补偿层、第一反射层和第二反射层，所述第一反射层中的声传播速度和所述第二反射层中的声传播速度不同；

7.根据权利要求6所述的薄膜声表面波谐振器，其特征在于，所述温度补偿层中设置有所述中间层和/或所述第一反射层中设置有所述中间层和/或所述第二反射层中设置有所述中间层。

8.根据权利要求1-2、4-6任一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：高安明，路晓明，
申请(专利权)人：浙江星曜半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：

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