一种基于互补双偏置的高线性度低噪声放大器电路制造技术

本发明专利技术公开了一种基于互补双偏置的高线性度低噪声放大器电路，属于射频集成电路领域，包括：依次连接的输入匹配电路、第一低噪声放大器电路、第一级间匹配巴伦以及复合放大器电路。本发明专利技术通过第一类偏置放大器保证放大器具有足够增益，第二类偏置放大器保证放大器具有足够的线性度，并将二者进行并联得到互补式双偏置放大器电路，能够在保证放大器具有足够的增益以抑制后续的噪声的同时，使得放大器具有足够的线性度，实现噪声和线性度的同步优化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于射频集成电路领域，具体涉及一种基于互补双偏置的高线性度低噪声放大器电路。

技术介绍

1、接收前端电路广泛应用于通讯、雷达等领域，其性能对通讯的质量和雷达的探测精度有着较大的影响。在接收前端电路之中，低噪声放大器（lna）由于其处于接收机的首级，其性能对接收电路有着至关重要的影响。噪声系数（nf）是接收机的一个重要指标，良好的nf意味着通信系统更优的动态范围和雷达系统更佳的探测精度，作为接收机首级的lna，其nf特性更是决定了接收机整体的噪声特性。

2、传统的lna为了降低的系统的nf，其增益将会设置的较高，以抑制后续的混频器、中频电路和基带电路的噪声。然而，lna较高的增益将会造成电路输入1db压缩点（ip1db）的急剧下降，最终将导致电路变得不再线性而影响芯片的性能。对于接收前端电路而言，其nf和ip1db的性能存在折中，在设计的时候往往需要牺牲其中一个参数的性能而满足另一个参数。

3、为了解决这个问题，有技术方案通过设置混频器（mixer）的dc偏置电压置在ab类从而提升mixer的线性度，并提升整体接收前端的线性本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于互补双偏置的高线性度低噪声放大器电路，其特征在于，包括：依次连接的输入匹配电路、第一低噪声放大器电路、第一级间匹配巴伦以及复合放大器电路；

2.根据权利要求1所述的基于互补双偏置的高线性度低噪声放大器电路，其特征在于，所述输入匹配电路包括：电容Cm1和电感Lm1；

3.根据权利要求2所述的基于互补双偏置的高线性度低噪声放大器电路，其特征在于，所述第一低噪声放大器电路包括：场效应管M0；

4.根据权利要求2所述的基于互补双偏置的高线性度低噪声放大器电路，其特征在于，所述第一低噪声放大器电路还包括：NPN型三极管Q0；>

5.根据权利...

【技术特征摘要】

1.一种基于互补双偏置的高线性度低噪声放大器电路，其特征在于，包括：依次连接的输入匹配电路、第一低噪声放大器电路、第一级间匹配巴伦以及复合放大器电路；

2.根据权利要求1所述的基于互补双偏置的高线性度低噪声放大器电路，其特征在于，所述输入匹配电路包括：电容cm1和电感lm1；

3.根据权利要求2所述的基于互补双偏置的高线性度低噪声放大器电路，其特征在于，所述第一低噪声放大器电路包括：场效应管m0；

4.根据权利要求2所述的基于互补双偏置的高线性度低噪声放大器电路，其特征在于，所述第一低噪声放大器电路还包括：npn型三极管q0；

5.根据权利要求3所述的基于互补双偏置的高线性度低噪声放大器电路，其特征在于，所述复合放大器电路包括依次连接的第二低噪声放大器电路、第二级间匹配巴伦以及互补式双偏置放大器电路。

6.根据权利要求5所述的基于互补双偏置的高线性度低噪声放大器电路，其特征在于，所述第二低噪声放大器电路包括场效应管...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨陈辰，陶健，丁川，叶松，
申请(专利权)人：成都信息工程大学，
类型：发明
国别省市：