一种提高编织效率的中心导体结构制造技术

本技术公开了一种提高编织效率的中心导体结构，属于通信器件技术领域，包括一个中心圆盘和三个编织带，其特征在于：所述编织带为加宽编织带，所述加宽编织带为对其根部进行加宽，并且优选在所述加宽编织带的根部加宽部位开设有通槽；本技术的中心导体结构，使得中心导体模组的编织效率提升了100%，合格率提升了近20%，极大地提高编织一致性，并且对折弯成型的模具加工精度要求明显降低。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及通信器件，尤其涉及一种提高编织效率的中心导体结构。

技术介绍

1、集总参数隔离器具有低成本、小型化和归一化外形的优势，适用于当前对功率要求较低但是对尺寸要求较高的通信系统中，主要起到单向导通、反向隔离和级间匹配的作用。近年随着对通信网络的建设加快，市场对集总参数器件，尤其是5mm集总参数器件的需求逐步增大。但是集总参数器件的生产极大受制于中心导体模组的编织效率，尤其是1ghz以下产品的中心导体编织线宽度很窄，成型后的合格率和一致性难以得到保障。

2、具体而言，现有集总参数隔离器的中心导体模组主要包括一个中心导体、一个铁氧体基片和三个绝缘膜。其中，中心导体结构如图1所示，主要由一个中心圆盘和三个互成120°夹角的编织带1a/1b/1c组成。中心导体模组编织成型后的示意图如图2所示，具体的编织步骤如下所示：将铁氧体基片4放置在中心导体圆盘上方，首先将中心导体的1a边紧贴铁氧体基片4边缘向上折弯180°，再在折弯后的中心导体的1a边上方贴1个绝缘膜3。重复以上折弯贴膜方式，按照1a-1b-1b的顺序分别对1b和1c边进行折弯贴膜步骤。完成折弯贴膜步骤后，使用工装对中心导体的1a/1b/1c的3个焊盘进行压折与焊接面平行。绝缘膜3为圆形的聚酰亚胺膜，直径略小于铁氧体基片4大约0.2mm，作用是用于对中心导体的三个编织带进行隔离。

3、集总参数隔离器设计的一般规律：随着频率降低，中心导体的三个编织带1a/1b/1c的宽度会逐渐减小，到800mhz频段时，最小仿真宽度为0.27mm，其仿真结果如图4所示；</p>

4、中心导体编织带宽度减小带来的主要问题有两个：

5、1、编织带宽度减小之后对中心编带模具的加工精度要求和加工成本都提出了极高的要求，同时编带模具和中心导体的尺寸配合、位置匹配也更加的困难；

6、2、中心导体宽度减小意味着更容易形变，导致编带速率低于一般产品，同时编带成型后的中心导体模组的一致性难以保障。

7、随着器件的频率降低，中心导体编织带宽度减小，以上两个问题会越发突出；因此，解决中心导体模组编带问题对提升集总参数器件的生产效率有极大意义。

技术实现思路

1、本技术的目的就在于提供一种提高编织效率的中心导体结构，以解决上述问题。

2、为了实现上述目的，本技术采用的技术方案是这样的：一种提高编织效率的中心导体结构，包括一个中心圆盘和三个编织带，所述编织带为加宽编织带，所述加宽编织带为对其根部进行加宽，所述编织带为加宽编织带，所述加宽编织带为对其根部进行加宽，加宽幅度为81%～122%。

3、由上述对中心导体模组的编带步骤介绍可知，中心导体的编织带在紧贴铁氧体基片4弯折180°的过程中，弯折部分主要是靠近中心导体圆盘的根部位置，也是决定中心导体模组成型状态的关键部位之一。因此本技术将中心导体编织带的根部分别进行加宽。

4、作为优选的技术方案：在所述加宽编织带的根部加宽部位开设有通槽。

5、编织带根部加宽再进行180°的折弯，其应力，尤其是较高温度下的热应力会增大，有一定的回弹风险。因此，进一步优选在编织带根部开槽的方式减小应力的释放，同时开槽并不会干扰中心导体的编带成型。

6、作为优选的技术方案：所述通槽的宽度为0.25～0.35mm，进一步优选0.3mm。

7、作为进一步优选的技术方案：所述通槽长度为0.5～0.7mm，进一步优选0.6mm。

8、作为优选的技术方案：每个加宽编织带的加宽幅度相同。方便统一加工。

9、作为优选的技术方案：每个通槽的形状大小均相同。方便统一加工。

10、与现有技术相比，本技术的优点在于：

11、（1）本技术的中心导体结构，较之现有方案的中心导体结构，中心导体模组的编织效率提升了100%，合格率提升了近20%；

12、（2）本技术的中心导体结构在仿真结果上与现有方案的中心导体结构仅仅偏移了10mhz，且曲线线型一致；可以通过外磁场的强弱来微调测试曲线，现有方案的电容等物料适用于本方案的中心导体结构；因此，不会有太大的物料变更，可生产性很强；

13、（3）本技术的中心导体结构的编织带根部宽度增加，使其在编带过程中，不易发生形变，可以极大地提高编织一致性；

14、（4）本技术的中心导体结构编织带根部宽度增加，对折弯成型的模具加工精度要求明显降低。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种提高编织效率的中心导体结构，包括一个中心圆盘和三个编织带，其特征在于：所述编织带为加宽编织带，所述加宽编织带为对其根部进行加宽，加宽幅度为81%～122%。

2.根据权利要求1所述的提高编织效率的中心导体结构，其特征在于：在所述加宽编织带的根部加宽部位开设有通槽。

3.根据权利要求2所述的提高编织效率的中心导体结构，其特征在于：所述通槽的宽度为0.25～0.35mm。

4.根据权利要求3所述的提高编织效率的中心导体结构，其特征在于：所述通槽长度为0.5～0.7mm。

5.根据权利要求1所述的提高编织效率的中心导体结构，其特征在于：每个加宽编织带的加宽幅度相同。

6.根据权利要求1所述的提高编织效率的中心导体结构，其特征在于：每个通槽的形状大小均相同。

【技术特征摘要】

1.一种提高编织效率的中心导体结构，包括一个中心圆盘和三个编织带，其特征在于：所述编织带为加宽编织带，所述加宽编织带为对其根部进行加宽，加宽幅度为81%～122%。

2.根据权利要求1所述的提高编织效率的中心导体结构，其特征在于：在所述加宽编织带的根部加宽部位开设有通槽。

3.根据权利要求2所述的提高编织效率的中心导体结构，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：何海洋，龙兰心，王利，龙绪群，邹家禹，
申请(专利权)人：西南应用磁学研究所中国电子科技集团公司第九研究所，
类型：新型
国别省市：