一种延长非易失性存储器可用寿命的方法技术

本发明专利技术属于数据存储技术领域，具体涉及一种延长非易失性存储器可用寿命的方法，S1、获取擦写次数，获得block的擦写次数，通过Nand控制器系统获取Block的擦写次数；S2、获取Nand原厂Endurance次数及测试数据设定阈值，并对其进行记录；S3、根据S1和S2中获取Block的擦写次数和Nand原厂Endurance次数及测试数据设定阈值判断block擦写次数是否达到阈值；S4、若达到block擦写次数阈值则照Nand原厂提供的格雷码进行重新编写。本发明专利技术提出通过block擦写次数，判断是否达到阈值以及重新编码，解决了Nand Flash由于磨损原因导致error bit升高，可靠性降低的问题；通过重新编码消除了容易受影响的最高和最低level，使所有cell都处于稳定的中间态，通过提升Nand retention和read disturb性能，提高Nand可靠性，延长使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于数据存储，具体涉及一种延长非易失性存储器可用寿命的方法。

技术介绍

1、非易失性存储器(英语：non-volatile memory，缩写为nvm)是指当电流关掉后，所存储的数据不会消失的电脑存储器。非易失性存储器中，依存储器内的数据是否能在使用电脑时随时改写为标准，而nand flash因高密度存储而广泛应用于数据存储，nand闪存是一种基于电荷存储的非易失性存储器。它由多个存储单元组成，每个存储单元可以存储一个或多个位的数据。存储单元中的电荷量决定了其存储的数据。当读取数据时，根据存储单元中的电荷量来判断其存储的是0还是1，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、mp3随身听记忆卡、体积小巧的u盘等。

2、现有技术中nand flash的擦写次数是有限的，因为每次擦写操作时，高能电子来回穿越绝缘层，给绝缘层带来物理损伤，最终影响数据可靠性。控制器的坏块本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种延长非易失性存储器可用寿命的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种延长非易失性存储器可用寿命的方法，其特征在于：所述S1中Block的基本单位是块(Block)，每个块由多个页(Page)组成，而每个页又包含多个扇区(Sector)。

3.根据权利要求2所述的一种延长非易失性存储器可用寿命的方法，其特征在于：所述扇区是存储数据的最小单位，而页和块则用于管理和读写数据。

4.根据权利要求1所述的一种延长非易失性存储器可用寿命的方法，其特征在于：所述S2中Endurance次数表征NAND能够承受的反复擦写次数。

...

【技术特征摘要】

1.一种延长非易失性存储器可用寿命的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种延长非易失性存储器可用寿命的方法，其特征在于：所述s1中block的基本单位是块(block)，每个块由多个页(page)组成，而每个页又包含多个扇区(sector)。

3.根据权利要求2所述的一种延长非易失性存储器可用寿命的方法，其特征在于：所述扇区是存储数据的最小单位，而页和块则用于管理和读写数据。

4.根据权利要求1所述的一种延长非易失性存储器可用寿命的方法，其特征在于：所述s2中endurance次数表征nand能够承受的反复擦写次数。

5.根据权利要求1所述的一种延长非易失性存储器可用寿命的方法，其特征在于：所述s2中nand的阈值指是指在读取操作中，判断存储单元中数据为0还是1所需的阈值电压。

...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘国玉，万婷，马晖，
申请(专利权)人：北京泽石科技有限公司，
类型：发明
国别省市：

全部详细技术资料下载 我是这个专利的主人