【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体发光材料,具体涉及一种核壳结构量子点及其制备方法和应用。
技术介绍
1、量子点,又称为半导体纳米晶,是指半径小于或接近激子波尔半径的半导体晶体,是半导体材料介于分子和体相材料之间的过渡态,由于电子和空穴被量子限域,连续的能带结构变成具有分子特性的分离能级结构,受激后可以发射荧光。基于量子效应,量子点在太阳能电池、光学器件、光学生物标记等领域具有广泛的应用前景。但目前量子点的合成仍存在一些问题:一是二元半导体纳米晶包括ii-vi族量子点和iii-v族量子点(cds、pbs、cdse、cdp、hgte、inp和inas等),含有高毒性的a类(hg、cd、pb)和b类(as、p)元素;二是一些合成方法(热注射法和水热法等)使用价格昂贵、易燃易爆或者高毒性的试剂(如硅基磷、三正辛基氧膦等),或操作过程需在苛刻的无氧无水条件下进行,这在很大程度上增加了工业生产的成本和技术困难。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种核壳结构量子点及其制备方法和应用。本专利技术提供的制备方
...【技术保护点】
1.一种核壳结构量子点的制备方法,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述量子点核为I-III-VI族量子点核或I-II-III-VI族量子点核;所述I-III-VI族量子点核由I族元素、III族元素和VI族元素组成;所述I-II-III-VI族量子点核由I族元素、II族元素、III族元素和VI族元素组成;
3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述金属阳离子前体包括铜离子前体、银离子前体、锌离子前体、锰离子前体和铟离子前体中的至少一种;所述阴离子前体包括硫离子前体、硒离子前体和碲离子前体中的至少一种。
...【技术特征摘要】
1.一种核壳结构量子点的制备方法,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述量子点核为i-iii-vi族量子点核或i-ii-iii-vi族量子点核;所述i-iii-vi族量子点核由i族元素、iii族元素和vi族元素组成;所述i-ii-iii-vi族量子点核由i族元素、ii族元素、iii族元素和vi族元素组成;
3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述金属阳离子前体包括铜离子前体、银离子前体、锌离子前体、锰离子前体和铟离子前体中的至少一种;所述阴离子前体包括硫离子前体、硒离子前体和碲离子前体中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述铜离子前体包括硝酸铜、氯化铜、氧化铜、氧化亚铜、硫酸铜和醋酸铜中的至少一种;所述银离子前体包括硝酸银和醋酸银中的至少一种;所述锌离子前体包括氧化锌、硫酸锌、硝酸锌、氯化锌和醋酸锌中的至少一种;所述锰离子前体包括二氯化锰和硝酸锰中的至少一种;所述铟离子前体包括氧化铟、硫酸铟、氯化铟、氢氧化铟、硝酸铟和醋酸铟中的至少一种;
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。