含异硫氰基的苯并噻吩或呋喃系列液晶单体化合物及应用制造技术

本发明专利技术涉及液晶材料技术领域，具体涉及含异硫氰基的苯并噻吩或呋喃系列液晶单体化合物及应用，所述含异硫氰基的苯并噻吩或呋喃系列液晶单体化合物的结构式如下：；其中，R选自烷基或烷氧基中的任意一种；X选自S或O；Z<subgt;1</subgt;、Z<subgt;2</subgt;分别独立的选自单键、‑C<subgt;m</subgt;H<subgt;2m+1</subgt;、‑C≡C‑、‑CH=CH‑中的任一种，m为1~12的整数；Y<subgt;1</subgt;、Y<subgt;2</subgt;、Y<subgt;3</subgt;、Y<subgt;4</subgt;、Y<subgt;5</subgt;、Y<subgt;6</subgt;、Y<subgt;7</subgt;、Y<subgt;8</subgt;分别独立的选自H、F、烷基或烷氧基中的任一种；n为1或2。所述含异硫氰基的苯并噻吩或呋喃系列液晶单体化合物具有较高的清亮点、较好的溶解性、较高的双折射率、较宽的相转变温度区间，能够有效改善液晶组分的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及含异硫氰基的苯并噻吩或呋喃系列液晶单体化合物及应用，属于液晶材料。

技术介绍

1、近年来，随着液晶材料及相关产业的发展和进步，液晶材料及液晶组合物的应用已不限于应用在传统的液晶显示器领域，其在微波移相器、微波智能天线阵列等高频装置微波组件中的研究和应用也备受关注。

2、液晶及液晶组合物能够在电磁和光等外场作用下介电常数（δε）和双折射率（δn）连续变化，并且微波介电损耗随着频率的增加呈现下降趋势，与传统移相器工作规律相比具有显著的优势；当微波在液晶介质中传播时，变化的介电常数可改变微波相位，从而实现微波相位的连续可调谐作用。而且液晶制作的器件还具有成本低、易于工业化等优点，因此液晶是一种优秀的微波移相器用调谐介质材料。由于液晶材料具备介电常数可调、功耗低、电控扫描等特性，其在高方向性微波智能天线阵列领域也具有广阔的应用前景。

3、尽管液晶材料在微波组件领域的应用潜力巨大，但满足微波组件要求的液晶材料除需要具备良好的物化稳定性、较宽的工作温度范围之外，还必须具备高双折射率和低粘度，大的介电各向异性和光学各向异性，以及低介本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.含异硫氰基的苯并噻吩或呋喃系列液晶单体化合物，其特征在于，所述含异硫氰基的苯并噻吩或呋喃系列液晶单体化合物的结构式如下：

2.根据权利要求1所述含异硫氰基的苯并噻吩或呋喃系列液晶单体化合物，其特征在于，所述R选自C1~C12的烷基或烷氧基中的任意一种。

3.根据权利要求1所述含异硫氰基的苯并噻吩或呋喃系列液晶单体化合物，其特征在于，所述Z1、Z2分别独立的选自单键、-CmH2m+1、-C≡C-、-CH=CH-中的任一种，m为1~5的整数。

4.根据权利要求1所述含异硫氰基的苯并噻吩或呋喃系列液晶单体化合物，其特征在于，所述Y1、Y2、Y3、Y4、Y...

【技术特征摘要】

1.含异硫氰基的苯并噻吩或呋喃系列液晶单体化合物，其特征在于，所述含异硫氰基的苯并噻吩或呋喃系列液晶单体化合物的结构式如下：

2.根据权利要求1所述含异硫氰基的苯并噻吩或呋喃系列液晶单体化合物，其特征在于，所述r选自c1~c12的烷基或烷氧基中的任意一种。

3.根据权利要求1所述含异硫氰基的苯并噻吩或呋喃系列液晶单体化合物，其特征在于，所述z1、z2分别独立的选自单键、-cmh2m+1、-c≡c-、-ch=ch-中的任一种，m为1~5的整数。

4.根据权利要求1所述含异硫氰基的苯并噻吩或呋喃系列液晶单体化合物，其特征在于，所述y1、y2、y3、y4、y5、y6、y7、y8分别独立的选自h、f、c1~c5烷基或c1~c5烷氧基中的任一种。

5.根据权利要求1所述含异硫氰基的苯并噻吩或呋喃系列液晶单体化合物，其特征在于，所述r选自c1~c5的直链烷基；

6.根据权利要求1所述含异硫氰基的苯并...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘宽，宫凯，姜亦涛，王宁，贾公明，
申请(专利权)人：中节能万润股份有限公司，
类型：发明
国别省市：