【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体芯片，具体而言，涉及一种基于超导量子干涉仪的气体压力传感器芯片及其制备方法。
技术介绍
1、半导体芯片生产设备是各类半导体器件制备的必要装置。在许多设备中，如光刻设备，化学气相沉积设备，离子注入设备等，都需要在严格的条件下运行，其中对环境真空度的要求就是一个重要的条件。因此，一个用于检测和校准各类设备中环境压强的真空计是必须的。
2、当前，市场上的真空计通常基于电容结构，其基本结构如图1所示，其基本原理为压力变化导致平行板电容的其中一个极板，例如图中的金属膜片，发生形变，从而平行板电容器的电容发生变化，该变化由分析电路通过电压的方式读出，从而获得环境的压强。
3、对于此类传统真空计，其优点包括较好的结构稳定性，良好的适用性，以及在一定范围内输出电压与气体压力之间呈线性关系，便于测量结果的解释和确定。但是，其也有许多缺点：在极高真空条件下，电容的改变较小，导致其灵敏度受到限制；温度导致的热胀冷缩效应对真空计的稳定性和准确性影响较大，因此经常需要进行温度补偿；同时，其机械结构相对复杂，需要定期的校准和
【技术保护点】
1.一种基于超导量子干涉仪的气体压力传感器芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的气体压力传感器芯片，其特征在于，所述超导量子干涉仪形成在所述高阻硅基片上，通过所述高阻硅基片与所述真空腔体的所述腔体壁接合。
3.根据权利要求1所述的气体压力传感器芯片，其特征在于，所述超导量子干涉仪包括：
4.根据权利要求1所述的气体压力传感器芯片，其特征在于，所述超导量子干涉仪根据下式确定环境压强：
5.根据权利要求1所述的气体压力传感器芯片，其特征在于，所述磁性薄膜包括：铁、镍、钴及其合金、铁氧体和稀土磁性材料中的至少一种。
6.根...
【技术特征摘要】
1.一种基于超导量子干涉仪的气体压力传感器芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的气体压力传感器芯片，其特征在于，所述超导量子干涉仪形成在所述高阻硅基片上，通过所述高阻硅基片与所述真空腔体的所述腔体壁接合。
3.根据权利要求1所述的气体压力传感器芯片，其特征在于，所述超导量子干涉仪包括：
4.根据权利要求1所述的气体压力传感器芯片，其特征在于，所述超导量子干涉仪根据下式确定环境压强：
5.根据权利要求1所述的气体压力传感器芯片，其特征在于，所述磁性薄膜包括：铁、镍、钴及其合金、铁氧体和稀土磁性材料中的至少一种。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：李铁夫，孙换莹，王文彦，
申请(专利权)人：北京量子信息科学研究院，
类型：发明
国别省市：
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