【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装，尤其涉及一种封装结构及封装方法。
技术介绍
1、为了满足芯片的散热需求，在芯片封装过程中，可以通过焊接工艺将芯片背面、低熔点金属以及散热盖焊接在一起，将低熔点金属填充在芯片和散热盖之间的间隙并更好地用于导热。在焊接过程中，产生的高温将低熔点金属熔化为液态金属并产生喷溅的现象，溅落的金属可能会掉落在芯片周边的电容上，导致电容之间发生短路。因此，需要在芯片封装时对电容进行保护。
2、目前，可以采用保护胶水包覆电容的方式对电容进行保护。这种方式需要采用点胶和固化工艺完成，这种工艺需要专门的设备来完成，工艺要求较高，制造难度和成本高；而且，现有的包覆电容的胶水最高能承受的温度低于焊接过程所达到的最高温度，因此胶水的成分和形态会发生变化，进而发生胶裂，导致对电容的保护失效。
技术实现思路
1、本专利技术提供的封装结构及封装方法，能够避免封装焊接过程中产生的液态金属溅落在电容上，从而有效保护电容，工艺简单，制造难度和成本低。
2、第一方面，本专利技术提供一种封装结构，所述封装结构包括：
3、基板；
4、位于所述基板表面的芯片；
5、位于所述芯片顶部表面的金属导热层；
6、位于所述基板表面的电容，所述电容顶部表面贴覆有绝缘保护膜，且所述绝缘保护膜的两侧与基板贴合，所述绝缘保护膜所耐最高温度高于将散热盖、芯片和金属导热层焊接在一起时所达到的最高温度；
7、散热盖，位于所述基板上，与所述金属
8、可选地，所述绝缘保护膜为聚酰亚胺薄膜。
9、可选地，所述绝缘保护膜的耐温范围为0～300度。
10、第二方面，本专利技术提供一种封装方法，所述方法包括：
11、提供基板；
12、在所述基板表面设置电容；
13、在所述基板表面设置芯片；
14、在所述电容顶部表面贴覆绝缘保护膜，所述绝缘保护膜的两侧延伸出所述电容顶部表面，所述绝缘保护膜所耐最高温度高于将散热盖、芯片和金属导热层焊接在一起时所达到的最高温度；
15、按压所述绝缘保护膜，使得所述绝缘保护膜的两侧与基板贴合；
16、在所述芯片的顶部表面形成金属导热层；
17、提供散热盖，将所述散热盖置于所述基板上，所述散热盖围成的空间容纳所述芯片、金属导热层和电容；
18、将所述散热盖、芯片和金属导热层焊接在一起。
19、第三方面，本专利技术提供另一种封装方法，所述方法包括：
20、提供基板；
21、在所述基板表面设置电容；
22、在所述电容顶部表面贴覆绝缘保护膜，所述绝缘保护膜的两侧延伸出所述电容顶部表面，所述绝缘保护膜所耐最高温度高于将散热盖、芯片和金属导热层焊接在一起时所达到的最高温度；
23、按压所述绝缘保护膜，使得所述绝缘保护膜的两侧与基板贴合；
24、在所述基板表面设置芯片；
25、在所述芯片的顶部表面形成金属导热层；
26、提供散热盖，将所述散热盖置于所述基板上，所述散热盖围成的空间容纳所述芯片、金属导热层和电容；
27、将所述散热盖、芯片和金属导热层焊接在一起。
28、第四方面，本专利技术提供又一种封装方法，所述方法包括：
29、提供基板；
30、在所述基板表面设置芯片；
31、在所述基板表面设置电容；
32、在所述电容顶部表面贴覆绝缘保护膜，所述绝缘保护膜的两侧延伸出所述电容顶部表面，所述绝缘保护膜所耐最高温度高于将散热盖、芯片和金属导热层焊接在一起时所达到的最高温度；
33、按压所述绝缘保护膜，使得所述绝缘保护膜的两侧与基板贴合；
34、在所述芯片的顶部表面形成金属导热层；
35、提供散热盖，将所述散热盖置于所述基板上，所述散热盖围成的空间容纳所述芯片、金属导热层和电容；
36、将所述散热盖、芯片和金属导热层焊接在一起。
37、第五方面，本专利技术提供再一种封装方法，所述方法包括：
38、提供基板；
39、在所述基板表面设置芯片；
40、在所述芯片的顶部表面形成金属导热层；
41、在所述基板表面设置电容；
42、在所述电容顶部表面贴覆绝缘保护膜，所述绝缘保护膜的两侧延伸出所述电容顶部表面，所述绝缘保护膜所耐最高温度高于将散热盖、芯片和金属导热层焊接在一起时所达到的最高温度；
43、按压所述绝缘保护膜，使得所述绝缘保护膜的两侧与基板贴合；
44、提供散热盖，将所述散热盖置于所述基板上，所述散热盖围成的空间容纳所述芯片、金属导热层和电容；
45、将所述散热盖、芯片和金属导热层焊接在一起。
46、可选地，所述将所述散热盖、芯片和金属导热层焊接在一起包括：采用高温回流焊工艺，将所述散热盖、芯片和金属导热层焊接在一起。
47、可选地，所述绝缘保护膜为聚酰亚胺薄膜。
48、可选地，所述绝缘保护膜的耐温范围为0～300度
49、本专利技术实施例提供的封装结构及封装方法，采用绝缘保护膜对电容进行包覆，在进行封装焊接时，该绝缘保护膜自身保持稳定，不会发生变化，能够有效阻挡液态金属溅落至电容上，从而能够有效保护电容；且在制作过程中，只需要将绝缘保护膜贴覆在电容顶部表面并进行按压即可，使绝缘保护膜的边缘与基板贴合，制作工艺简单，制造难度和成本低。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘保护膜为聚酰亚胺薄膜。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘保护膜的耐温范围为0～300度。
4.一种封装方法，其特征在于，所述方法包括：
5.一种封装方法，其特征在于，所述方法包括：
6.一种封装方法，其特征在于，所述方法包括：
7.一种封装方法，其特征在于，所述方法包括：
8.根据权利要求4至7中任一项所述的封装方法，其特征在于，所述将所述散热盖、芯片和金属导热层焊接在一起包括：采用高温回流焊工艺，将所述散热盖、芯片和金属导热层焊接在一起。
9.根据权利要求4至7中任一项所述的封装方法，其特征在于，所述绝缘保护膜为聚酰亚胺薄膜。
10.根据权利要求9所述的封装方法，其特征在于，所述绝缘保护膜的耐温范围为0～300度。
【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘保护膜为聚酰亚胺薄膜。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘保护膜的耐温范围为0～300度。
4.一种封装方法，其特征在于，所述方法包括：
5.一种封装方法，其特征在于，所述方法包括：
6.一种封装方法，其特征在于，所述方法包括：
7.一种封...
【专利技术属性】
技术研发人员：李慧宇，
申请(专利权)人：海光集成电路设计北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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