【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装，尤其涉及一种封装结构及封装方法。
技术介绍
1、为了满足芯片的散热需求，在芯片封装过程中，可以通过焊接工艺将芯片背面、低熔点金属以及散热盖焊接在一起，将低熔点金属填充在芯片和散热盖之间的间隙并更好地用于导热。在焊接过程中，产生的高温将低熔点金属熔化为液态金属并产生喷溅的现象，溅落的金属可能会掉落在芯片周边的电容上，导致电容之间发生短路。因此，需要在芯片封装时对电容进行保护。
2、目前，可以采用保护胶水包覆电容的方式对电容进行保护。这种方式需要采用点胶和固化工艺完成，这种工艺需要专门的设备来完成，工艺要求较高，制造难度和成本高；而且，现有的包覆电容的胶水最高能承受的温度低于焊接过程所达到的最高温度，因此胶水的成分和形态会发生变化，进而发生胶裂，导致对电容的保护失效。
技术实现思路
1、本专利技术提供的封装结构及封装方法，能够避免封装焊接过程中产生的液态金属溅落在电容上，从而有效保护电容，工艺简单，制造难度和成本低。
2、第一方面，本专利技术提...
【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘保护膜为聚酰亚胺薄膜。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘保护膜的耐温范围为0～300度。
4.一种封装方法，其特征在于，所述方法包括：
5.一种封装方法，其特征在于，所述方法包括：
6.一种封装方法，其特征在于，所述方法包括：
7.一种封装方法，其特征在于，所述方法包括：
8.根据权利要求4至7中任一项所述的封装方法，其特征在于，所述将所述散热盖、芯片和金属导热层焊接在一起...
【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘保护膜为聚酰亚胺薄膜。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘保护膜的耐温范围为0～300度。
4.一种封装方法，其特征在于，所述方法包括：
5.一种封装方法，其特征在于，所述方法包括：
6.一种封装方法，其特征在于，所述方法包括：
7.一种封...
【专利技术属性】
技术研发人员：李慧宇，
申请(专利权)人：海光集成电路设计北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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