System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 高效率光束偏折和偏振转换双功能微扰超构表面设计方法技术_技高网
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高效率光束偏折和偏振转换双功能微扰超构表面设计方法技术

技术编号:41759614 阅读:13 留言:0更新日期:2024-06-21 21:40
本发明专利技术涉及一种高效率光束偏折和偏振转换双功能微扰超构表面设计方法,包括以下步骤:设计正交线偏振相位;设计全介质纳米柱主结构;设计全介质纳米柱微扰副结构;基于所述全介质纳米柱主结构和全介质纳米柱微扰副结构,完成微扰超构表面设计过程。与现有技术相比,本发明专利技术具有同时实现高效率的光束偏折和偏振转换、物理图像明确、设计思路简单、调控效率优异等优点,对于超构表面在多功能光学系统中的实用化具有重要意义。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光场调控,尤其是涉及一种高效率光束偏折和偏振转换双功能微扰超构表面设计方法


技术介绍

1、超构表面作为一种由人工亚波长微结构按照特定方式排列而成的二维平面光学器件,能够对光场的偏振、振幅、相位等自由度进行任意调控。现代光学技术的发展迫切需要超构表面能够兼具光束偏折和偏振转换功能,同时确保足够高的光学效率。双功能的集成需要超构表面对正交线偏振光的透射率和相位进行解耦调制。现有技术通过直接设计单个矩形纳米柱的线宽来尽可能同时满足超构表面对正交偏振光的透射率和相位要求。虽然简单矩形纳米柱结构因其固有的各向异性,能够对正交线偏振光的透射率和相位产生不同的调制,但其结构线宽对正交线偏振光的响应无法解耦,在设计过程中只能依赖全局密集扫描,必要时还需借助数值优化算法,显著增加了设计难度。此外,简单矩形纳米柱结构的光场束缚能力较弱,难以将光场局域在结构内部,相邻纳米柱之间的耦合作用较为强烈,破坏了超构表面调制光场的真实相位梯度,最终导致光学效率无法超过80%。

2、目前尚无一套简单有效的方法和结构,可以基于超构表面同时实现高效率的光束偏折和偏振转换。

3、针对以上问题,如何实现对正交线偏振光的振幅和相位的解耦调控,是光束偏折和偏振转换双功能超构表面进一步发展亟需解决的瓶颈问题。因此对于本领域研究人员来说,有必要开发一种高效率光束偏折和偏振转换双功能微扰超构表面设计方法和结构,从而实现物理图像明确、设计思路简单、调控效率优异的双功能集成超构表面器件。


技术实现思路

1、本专利技术的目的就是为了提供一种调控效率优异的高效率光束偏折和偏振转换双功能微扰超构表面设计方法。

2、本专利技术的目的可以通过以下技术方案来实现:

3、一种高效率光束偏折和偏振转换双功能微扰超构表面设计方法,包括以下步骤:

4、设计正交线偏振相位:根据光束偏折角度,设计单元结构周期、单元结构个数以及每个单元结构的x线和y线偏振光相位,并将设计的所述x线和y线偏振光相位作为目标相位;

5、设计全介质纳米柱主结构:对纳米柱的线宽进行扫描仿真,建立纳米柱对x线和y线偏振光的透射率和相位数据库,并挑选纳米柱长轴方向上的偏振态相位与目标相位最接近的纳米柱作为全介质纳米柱主结构;

6、设计全介质纳米柱微扰副结构:基于全介质纳米柱主结构短轴方向的偏振态相位与目标相位的差值,在全介质纳米柱主结构短轴方向上添加纳米柱微扰结构,并基于所述纳米柱微扰结构选择全介质纳米柱微扰副结构;

7、设计微扰单元结构阵列:将所述全介质纳米柱主结构和全介质纳米柱微扰副结构按照目标相位进行依序排列,完成微扰超构表面设计过程。进一步地,所述光束偏折角度的选择范围为0°~40°。

8、进一步地,所述单元结构周期和单元结构个数满足的表达式为:

9、np=λ/sinθ

10、式中,n为超构表面单元结构的个数,p为超构表面单元结构的周期,λ为波长,θ为出射光的角度。

11、进一步地,所述纳米柱为高折射率矩形纳米柱,所述高折射率矩形纳米柱采用的高折射率材料为si或tio2。

12、进一步地,所述全介质纳米柱主结构的高度大于等于600nm,全介质纳米柱主结构对x线和y线偏振光的透射率均大于90%。

13、进一步地,所述全介质纳米柱主结构长轴方向的偏振态相位与目标相位的差值在±5°以内。

14、进一步地,所述添加纳米柱微扰结构的限制条件为:

15、纳米柱微扰结构的线宽在200nm以内,与全介质纳米柱主结构的距离大于50nm且小于150nm。

16、进一步地,所述选择全介质纳米柱微扰副结构的步骤包括:

17、对所述微扰结构的线宽进行扫描仿真,建立单元结构整体对全介质纳米柱主结构短轴方向线偏振光的透射率和相位数据库;

18、在单元结构整体透射率大于90%的前提下,基于所述数据库挑选全介质纳米柱主结构短轴方向上的偏振态相位与目标相位最接近的纳米柱作为全介质纳米柱微扰副结构。

19、进一步地,所述全介质纳米柱微扰副结构的高度、采用的组成材料与全介质纳米柱主结构保持一致。

20、进一步地,所述全介质纳米柱主结构短轴方向的偏振态相位与目标相位的差值在±5°以内。

21、与现有技术相比,本专利技术具有以下有益效果:

22、(1)本专利技术利用单个纳米柱结构对x和y线偏振态的电场束缚能力差异,在短轴方向施加微扰,能在不影响长轴方向偏振态的电场分布和相位响应的前提下,对短轴方向偏振态的相位响应进行单独调控;此外,微扰结构的引入还能够显著增强超构表面单元结构对短轴方向偏振的电场束缚能力,减弱相邻单元结构之间的近场耦合作用,提高超构表面器件的光学效率。

23、(2)本专利技术基于双纳米柱的耦合单元结构,相比于现有技术的单个矩形纳米柱,本专利技术使用的耦合单元结构可以通过调节微扰结构大小独立调控单个偏振态的相位响应,实现线宽参数与x和y偏振态的相位响应解耦,显著降低了超构表面器件的设计难度。

24、(3)本专利技术基于耦合波导理论对传统矩形纳米柱的短轴方向偏振光场进行微扰,使得耦合单元结构具有更强的电场束缚能力,能够减弱相邻单元结构之间的近场耦合作用,提高超构表面器件的光学效率。

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【技术保护点】

1.一种高效率光束偏折和偏振转换双功能微扰超构表面设计方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种高效率光束偏折和偏振转换双功能微扰超构表面设计方法,其特征在于,所述光束偏折角度的选择范围为0°~40°。

3.根据权利要求1所述的一种高效率光束偏折和偏振转换双功能微扰超构表面设计方法,其特征在于,所述单元结构周期和单元结构个数满足的表达式为:

4.根据权利要求1所述的一种高效率光束偏折和偏振转换双功能微扰超构表面设计方法,其特征在于,所述纳米柱为高折射率矩形纳米柱,所述高折射率矩形纳米柱采用的高折射率材料为Si或TiO2。

5.根据权利要求1所述的一种高效率光束偏折和偏振转换双功能微扰超构表面设计方法,其特征在于,所述全介质纳米柱主结构的高度大于等于600nm,全介质纳米柱主结构对x线和y线偏振光的透射率均大于90%。

6.根据权利要求1所述的一种高效率光束偏折和偏振转换双功能微扰超构表面设计方法,其特征在于,所述全介质纳米柱主结构长轴方向的偏振态相位与目标相位的差值在±5°以内。

7.根据权利要求1所述的一种高效率光束偏折和偏振转换双功能微扰超构表面设计方法,其特征在于,所述添加纳米柱微扰结构的限制条件为:

8.根据权利要求1所述的一种高效率光束偏折和偏振转换双功能微扰超构表面设计方法,其特征在于,所述选择全介质纳米柱微扰副结构的步骤包括:

9.根据权利要求1所述的一种高效率光束偏折和偏振转换双功能微扰超构表面设计方法,其特征在于,所述全介质纳米柱微扰副结构的高度、采用的组成材料与全介质纳米柱主结构保持一致。

10.根据权利要求1所述的一种高效率光束偏折和偏振转换双功能微扰超构表面设计方法,其特征在于,所述全介质纳米柱主结构短轴方向的偏振态相位与目标相位的差值在±5°以内。

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【技术特征摘要】

1.一种高效率光束偏折和偏振转换双功能微扰超构表面设计方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种高效率光束偏折和偏振转换双功能微扰超构表面设计方法,其特征在于,所述光束偏折角度的选择范围为0°~40°。

3.根据权利要求1所述的一种高效率光束偏折和偏振转换双功能微扰超构表面设计方法,其特征在于,所述单元结构周期和单元结构个数满足的表达式为:

4.根据权利要求1所述的一种高效率光束偏折和偏振转换双功能微扰超构表面设计方法,其特征在于,所述纳米柱为高折射率矩形纳米柱,所述高折射率矩形纳米柱采用的高折射率材料为si或tio2。

5.根据权利要求1所述的一种高效率光束偏折和偏振转换双功能微扰超构表面设计方法,其特征在于,所述全介质纳米柱主结构的高度大于等于600nm,全介质纳米柱主结构对x线和y线偏振光的透射率均大于90%。

6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员:程鑫彬何涛冯超王占山
申请(专利权)人:同济大学
类型:发明
国别省市:

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