晶硅太阳能电池及其制作方法技术

技术编号:41755501 阅读:19 留言:0更新日期:2024-06-21 21:38
本申请涉及电池技术领域,公开了一种晶硅太阳能电池,该晶硅太阳能电池包括:硅基板、第一钝化层、P型掺杂层、第一电极层、第二钝化层、掺杂钙钛矿电子传输层和第二电极层;其中,硅基板包括相对设置的第一面和第二面,第一钝化层、P型掺杂层和第一电极层依次层叠设置于硅基板的第一面,第二钝化层、掺杂钙钛矿电子传输层和第二电极层依次层叠设置于硅基板的第二面;掺杂钙钛矿电子传输层由钙钛矿材料和掺杂材料构成。本申请提供的晶硅太阳能电池有效提升了电池中电子传输效率,解决了相关技术中晶硅太阳能电池光电转换效率低的技术问题。本申请还提供了一种晶硅太阳能电池的制作方法。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及电池,尤其涉及一种晶硅太阳能电池及其制作方法


技术介绍

1、太阳能电池是一种能够将太阳光直接转化为电能的装置,其基本原理是光电效应,即光子击中半导体表面时会激发电子,使其从半导体材料中释放出来,形成电流。

2、目前工业生产中常用的晶硅太阳能电池,受限于自身结构,内部膜层之间的带隙固定,其能级、功能函数难以调控,导致钝化层与电极层之间电子传输受限,影响太阳能电池的光电转换效率。


技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种晶硅太阳能电池及其制作方法,用于提升晶硅太阳能电池中电子传输效率,解决相关技术中晶硅太阳能电池光电转换效率低的技术问题。

2、第一方面,本申请提供一种晶硅太阳能电池,包括:

3、硅基板,包括相对设置的第一面和第二面;

4、依次层叠设置于所述硅基板的第一面上的第一钝化层、p型掺杂层和第一电极层;

5、依次层叠设置于所述硅基板的第二面上的第二钝化层、掺杂钙钛矿电子传输层和第二电极层,所述掺杂钙钛矿电子传输层由钙钛矿材料和掺杂材料本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶硅太阳能电池,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池,其特征在于,所述掺杂材料为PCBM。

3.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池,其特征在于,所述掺杂材料的质量占比为5%-15%。

4.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池,其特征在于,所述钙钛矿材料的结构通式为ABX3,A位为甲基铵、甲酰胺、铯、铷中的至少一种,B位为金属阳离子,X位为卤素中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的晶硅太阳能电池,其特征在于,所述甲基铵、甲酰胺、铯、铷的物质的量之和为100%,所述甲基铵的物质的量的占比为0-100%,所述甲酰胺的...

【技术特征摘要】

1.一种晶硅太阳能电池,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池,其特征在于,所述掺杂材料为pcbm。

3.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池,其特征在于,所述掺杂材料的质量占比为5%-15%。

4.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池,其特征在于,所述钙钛矿材料的结构通式为abx3,a位为甲基铵、甲酰胺、铯、铷中的至少一种,b位为金属阳离子,x位为卤素中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的晶硅太阳能电池,其特征在于,所述甲基铵、甲酰胺、铯、铷的物质的量之和为100%,所述甲基铵的物质的量的占比为0-100%,所述甲酰胺的物质的量的占比为0-100%,所述铯的物质的量的占比为0-30%,所述铷的物质的量的占比为0-30%。

6.根据权利要求4所述的晶硅太阳能电池,其特征在于,所述钙钛矿材料为cspbi3...

【专利技术属性】
技术研发人员:段磊平张瑜易海芒请求不公布姓名
申请(专利权)人:深圳黑晶光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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