【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体晶体管，且特别是涉及一种高频晶体管。
技术介绍
1、目前的晶体管在布局方面通常是采用单边栅极接触(one-sided gate contact)的方式连接栅极，因而导致高栅极电阻(gate resistance，rg)。若是晶体管应用在高频元件，高rg会导致最大震荡频率(fmax)变小，如下式(1)。
2、
3、式(1)中的rs代表源极电阻、cgd代表栅极-漏极电容、gd代表输出电导、ft为下式(2)。
4、
5、式(2)中的cpar代表寄生电容、gm代表转导、cgg代表栅极电容(这里代表的是栅极总共的电容)、cox代表栅极氧化层电容。
6、因此，采用两侧式(double-sided)的栅极接触方式，来降低栅极电阻，然而这样的方式会随着元件主动区的长度变大，仍旧有栅极电阻增加的问题产生。
7、另外，也有改良后段制作工艺(back-end-of-the-line，beol)金属内连线，来直接连接主动区内的栅极，以降低栅极电阻。然而，由于在主动区...
【技术保护点】
1.一种高频晶体管，包括：
2.如权利要求1所述的高频晶体管，其中所述第一金属层还包括环状部分，包围所述多个栅极并与所述第二部分的两端直接接触。
3.如权利要求2所述的高频晶体管，还包括多个第二栅极接触窗，分别连接所述环状部分至所述多个栅极的每一个栅极的两端。
4.如权利要求1所述的高频晶体管，其中所述第二部分的所述连续线段的数量为一个以上。
5.如权利要求1所述的高频晶体管，还包括后段制作工艺(BEOL)金属内连线，设置于所述第一金属层上方。
6.如权利要求5所述的高频晶体管，其中所述后段制作工艺金属内连线...
【技术特征摘要】
1.一种高频晶体管，包括：
2.如权利要求1所述的高频晶体管，其中所述第一金属层还包括环状部分，包围所述多个栅极并与所述第二部分的两端直接接触。
3.如权利要求2所述的高频晶体管，还包括多个第二栅极接触窗，分别连接所述环状部分至所述多个栅极的每一个栅极的两端。
4.如权利要求1所述的高频晶体管，其中所述第二部分的所述连续线段的数量为一个以上。
5.如权利要求1所述的高频晶体管，还包括后段制作工艺(beol)金属内连线，设置于所述第一金属层上方。
6.如权利要求5所述的高频晶体管，其中所述后段制作工艺金属内连线的层数在6层以下。
7.如权利要求5所述的高频晶体管，其中所述后段制作工艺金属内连线的材料包括铂、钛、氮化钛、铝、钨、氮化钨、钌、氧化钌、钽、镍、钴、铜、银或金。
8.如权利要求1所述的高频晶体管，其中所述高频晶体管的种类包括平面金属氧化物半导体场效应晶体管、鳍式场效应晶体管、纳米片(nanosheet)晶体管或纳米线(nanowi...
【专利技术属性】
技术研发人员：林鑫成，艾维达，邱冠颖，刘致为，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。