一种可控硅智能调光电路制造技术

本技术涉及调光器技术领域，特别涉及一种可控硅智能调光电路，包括MOS管Q1、负载电阻R8、三极管V3、三极管V4、MOS管Q2、三极管V5和MOS管Q7，MOS管Q1的源极与负载电阻R8的一端电连接，负载电阻R8的另一端分别与三极管V3的发射极、三极管V4的发射极、MOS管Q2的源极、三极管V5的发射极和MOS管Q7的源极电连接，三极管V3的基极与MOS管Q1的漏极电连接，三极管V3的集电极与三极管V4的基极电连接，三极管V4的集电极与MOS管Q2的栅极电连接，MOS管Q2的漏极分别与三极管V5的集电极和MOS管Q7的栅极电连接，这样能够提高调光的兼容性，进而能够兼容更多的可控硅调光器。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及调光器，特别涉及一种可控硅智能调光电路。

技术介绍

1、随着技术的进步，led照明产品逐渐走向智能化，为灯具实现二次节能提供了条件，带有调光功能的led灯具应用越来越广泛。市场led灯具调光方式有三种，分别是：模拟调光、pwm调光和可控硅调光。可控硅调光的调光方式由于其调光电路简单和易操作的特点被大众普遍看好。

2、但现有的带射频模组的智能调光方案，由于可以使用app调光，就没有再加入可控硅调光电路；或者使用的兼容调光方案因控制方式单一，兼容可控硅调光器的效果并不好。

技术实现思路

1、本技术所要解决的技术问题是：提供一种可控硅智能调光电路，能够提高调光的兼容性，进而可以实现兼容更多的可控硅调光器。

2、为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为：

3、一种可控硅智能调光电路，包括设置在可控硅调光器上的兼容可控硅调光器模块，所述兼容可控硅调光器模块包括mos管q1、负载电阻r8、三极管v3、三极管v4、mos管q2、三极管v5和mos管q7，所述mos管q1的栅本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种可控硅智能调光电路，其特征在于，包括设置在可控硅调光器上的兼容可控硅调光器模块，所述兼容可控硅调光器模块包括MOS管Q1、负载电阻R8、三极管V3、三极管V4、MOS管Q2、三极管V5和MOS管Q7，所述MOS管Q1的栅极与兼容可控硅调光器模块上的整流正电压线，所述MOS管Q1的源极与负载电阻R8的一端电连接，所述负载电阻R8的另一端分别与三极管V3的发射极、三极管V4的发射极、MOS管Q2的源极、三极管V5的发射极和MOS管Q7的源极电连接，所述三极管V3的基极与MOS管Q1的漏极电连接，所述三极管V3的集电极与三极管V4的基极电连接，所述三极管V4的集电极与MOS管Q2的栅极...

【技术特征摘要】

1.一种可控硅智能调光电路，其特征在于，包括设置在可控硅调光器上的兼容可控硅调光器模块，所述兼容可控硅调光器模块包括mos管q1、负载电阻r8、三极管v3、三极管v4、mos管q2、三极管v5和mos管q7，所述mos管q1的栅极与兼容可控硅调光器模块上的整流正电压线，所述mos管q1的源极与负载电阻r8的一端电连接，所述负载电阻r8的另一端分别与三极管v3的发射极、三极管v4的发射极、mos管q2的源极、三极管v5的发射极和mos管q7的源极电连接，所述三极管v3的基极与mos管q1的漏极电连接，所述三极管v3的集电极与三极管v4的基极电连接，所述三极管v4的集电极与mos管q2的栅极电连接，所述mos管q2的漏极分别与三极管v5的集电极和mos管q7的栅极电连接，所述mos管q7的漏极分别与mos管q1的栅极和兼容可控硅调光器模块上的整流正电压线电连接。

2.根据权利要求1所述的可控硅智能调光电路，其特征在于，还包括稳压管zd1，所述稳压管zd1的阴极与mos管q1的栅极电连接，所述稳压管zd1的阳极分别与负载电阻r8的另一端、三极管v3的发射极、三极管v4的发射极、mos管q2的源极、三极管v5的发射极和mos管q7的源极电连接。

3.根据权利要求2所述的可控硅智能调光电路，其特征在于，还包括电阻r5，所述电阻r5的一端分别与mos管q1的漏极和mos管q7的漏极电连接，所述电阻r5的另一端分别与mos管q1的栅极和稳压管zd1的阴极电连接。

4.根据权利要求1所述的可控硅智能调光电路，其特征在于，还包括电阻r51和电阻r52，所述电阻r51的一端分别与mos管q1的漏极和mos管q7的漏极电连接，所述电阻r51的另一端分别与三极管v3的基极和电阻r52的一端电连接，所述电阻r52的另一端分别与三极管v3的发射极、三极管v4的发射极、m...

【专利技术属性】
技术研发人员：林耀龙，洪海鹏，洪波芳，
申请(专利权)人：厦门通士达照明有限公司，
类型：新型
国别省市：