【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光二极管领域，尤其涉及一种巨量转移方法、显示装置及其制作方法。
技术介绍
1、微元件技术是指在衬底上以高密度集成的微小尺寸的元件阵列。目前，微间距发光二极管(micro led)技术逐渐成为研究热门，工业界期待有高品质的微元件产品进入市场。高品质微间距发光二极管产品会对市场上已有的诸如lcd/oled的传统显示产品产生深刻影响。micro-led技术，即led微缩化和矩阵化技术，指的是在一个芯片上集成高密度、微小尺寸的led阵列的技术，以将像素点的距离从毫米级降低至微米级。由于micro-led性能上表现优越，继承了无机led的高亮度、高良率、高可靠性、体积小、寿命长等优势，在显示领域的应用越来越广泛。
2、在制造微元件的过程中，首先在施体基板上形成微元件，接着将微元件转移到接收基板上。接收基板例如是显示面板。在微型发光二极管的制作过程中，巨量转移是微型发光二极管实现产业化的主要瓶颈，如何解决这一技术难题，成为微型发光二极管成本降低和量产的关键环节。
3、在巨量转移技术层出不穷的今天，主要还是以印...
【技术保护点】
1.一种巨量转移方法，其特征在于，所述巨量转移方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述第一临时衬底和/或第二临时衬底包括透明衬底。
3.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述感应材料包括热感应材料、紫外光感应材料、激光感应材料、辐射感应材料、等离子体感应材料、微波感应材料中的任意一种或多种。
4.根据权利要求2所述的巨量转移方法，其特征在于，所述透明衬底包括透明无机材料。
5.根据权利要求4所述的巨量转移方法，其特征在于，所述透明衬底包括玻璃衬底或蓝宝石衬底或氧化钛衬底。p>
6.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种巨量转移方法，其特征在于，所述巨量转移方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述第一临时衬底和/或第二临时衬底包括透明衬底。
3.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述感应材料包括热感应材料、紫外光感应材料、激光感应材料、辐射感应材料、等离子体感应材料、微波感应材料中的任意一种或多种。
4.根据权利要求2所述的巨量转移方法，其特征在于，所述透明衬底包括透明无机材料。
5.根据权利要求4所述的巨量转移方法，其特征在于，所述透明衬底包括玻璃衬底或蓝宝石衬底或氧化钛衬底。
6.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述led芯粒包括外延发光层以及用于电接触的电极，且在所述步骤s01中，所述电极设置于所述led芯粒背离所述生长衬底的一侧。
7.根据权利要求6所述的巨量转移方法，其特征在于，在所述步骤s07中，将所述led芯粒选择性对位至所述显示面板的接合垫，通过回流焊接工艺使所述led芯粒的电极与所述接合垫相接合。
8.根据权利要求6或7所...
【专利技术属性】
技术研发人员：谈江乔，柯志杰，艾国齐，蔡建九，马英杰，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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