一种增强型GaN功率器件及其制备方法技术

本发明专利技术属于功率电子器件技术领域，具体涉及一种增强型GaN功率器件及其制备方法。本发明专利技术提供的增强型GaN功率器件包括：衬底，设置在衬底上表面的GaN层和AlGaN层，设置在AlGaN层上表面的P‑GaN岛，设置在AlGaN层上表面环绕P‑GaN岛且与P‑GaN岛相接触的第一NiO层，设置在P‑GaN岛上表面的第二NiO层；同时覆盖所述AlGaN层剩余上表面和第一NiO层上表面的钝化层，设置在所述第二NiO层上表面的栅极，与所述GaN层和所述AlGaN层欧姆接触的源极和漏极。本发明专利技术提供的增强型GaN功率器件提升了器件的跨导，同时减小了器件的电流崩塌效应，从而具有高响应的特点，具有潜在的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于功率电子器件，具体涉及一种增强型gan功率器件及其制备方法。

技术介绍

1、第三代半导体材料gan相比于其他的半导体材料而言，除了禁带宽度大这一显著的优点以外，还具备其他的许多优点，比如介电常数小、热导率高、临界击穿电场强度大、电子的饱和速度大等。因此这些优点使得gan器件在温度很高的情况下依然能正常工作，并且在大电压和高频率下的性能优势很突出。

2、gan基功率器件是采用algan/gan异质结材料，使用各种半导体工艺制作完成的晶体管，源漏极之间的电导是由存在二维电子气的导电沟道提供的。增强型的gan功率器件（常关型器件），尤其受到专注，因为增强型的器件，在栅极加0v的时候，处于关断状态，在栅极加正压时（超过器件的阈值电压），处于开通状态，符合常规的电路设计要求。但增强型gan器件的制作比较困难，目前商业化的增强型器件都是p-gan结构，即在algan层上方栅极区域增加p-gan层，利用p-gan层对栅极下方二维电子气的耗尽作用，实现常关型器件。对于gan功率器件，高的跨导（栅极的控制能力，即单位栅压引起的电流增加量）与低的电流本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种增强型GaN功率器件，其特征在于，包括：衬底，设置在所述衬底上表面的GaN层，设置在所述GaN层上表面的AlGaN层，设置在所述AlGaN层上表面的P-GaN岛，设置在所述AlGaN层上表面环绕所述P-GaN岛且与所述P-GaN岛相接触的第一NiO层，设置在所述P-GaN岛上表面的第二NiO层；同时覆盖所述AlGaN层剩余上表面和第一NiO层上表面的钝化层，设置在所述第二NiO层上表面的栅极，与所述GaN层和所述AlGaN层欧姆接触的源极，与所述GaN层和所述AlGaN层欧姆接触的漏极。

2.根据权利要求1所述的增强型GaN功率器件，其特征在于，所述P-GaN岛的厚度...

【技术特征摘要】

1.一种增强型gan功率器件，其特征在于，包括：衬底，设置在所述衬底上表面的gan层，设置在所述gan层上表面的algan层，设置在所述algan层上表面的p-gan岛，设置在所述algan层上表面环绕所述p-gan岛且与所述p-gan岛相接触的第一nio层，设置在所述p-gan岛上表面的第二nio层；同时覆盖所述algan层剩余上表面和第一nio层上表面的钝化层，设置在所述第二nio层上表面的栅极，与所述gan层和所述algan层欧姆接触的源极，与所述gan层和所述algan层欧姆接触的漏极。

2.根据权利要求1所述的增强型gan功率器件，其特征在于，所述p-gan岛的厚度为40~50nm。

3.根据权利要求2所述的增强型gan功率器件，其特征在于，所述p-gan岛的厚度为40nm。

4.根据权利要求1所述的增强型gan功率器件，其特征在于，还包括：设置在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：武乐可，夏远洋，李亦衡，朱廷刚，
申请(专利权)人：江苏能华微电子科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：